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M5M5256FP-45LL

更新时间： 2024-02-05 20:28:01

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	64K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDSO28

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技术参数
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M5M5256FP-45LL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOP, SOP28,.5	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	45 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP28,.5	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.055 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

M5M5256FP-45LL 数据手册

'97.4.7

MITSUBISHI LSIs

M5M5256DP,FP,VP,RV -45LL,-55LL,-70LL,

-45XL,-55XL,-70XL

262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM

(4) TIMING DIAGRAMS

Read cycle

tCR

A0~14

ta(A)

tv (A)

ta (S)

(Note 3)

ta (OE)

(Note 3)

tdis (S)

ten (OE)

/OE

tdis (OE)

ten (S)

DATA VALID

DQ1~8

/W = "H" level

Write cycle (/W control mode)

tCW

A0~14

tsu (S)

(Note 3)

tsu (A-WH)

/OE

tsu (A)

tw (W)

trec (W)

ten (W)

tdis (W)

ten(OE)

tdis (OE)

DATA IN

STABLE

DQ1~8

(Note 3)

tsu (D)

th (D)

MITSUBISHI

ELECTRIC

1 2 3 456 7

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