是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.3 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.49 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.00001 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M5M5256BKP-10LL-I | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, DIP-28 | |
M5M5256BKP-10LL-W | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, DIP-28 | |
M5M5256BP-10LL-I | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, DIP-28 | |
M5M5256BP-10LL-W | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, DIP-28 | |
M5M5256BP-10L-W | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, DIP-28 | |
M5M5256BP-12LL-I | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, DIP-28 | |
M5M5256BP-15L | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
M5M5256BP-15L-I | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, DIP-28 | |
M5M5256BP-15LL | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
M5M5256BP-15LL-I | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, DIP-28 |