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M5M51T08AVP-12VSLT

更新时间: 2024-11-29 20:51:31
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 235K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32

M5M51T08AVP-12VSLT 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP1
包装说明:SOP,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:120 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

M5M51T08AVP-12VSLT 数据手册

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