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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP32,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 120 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | -20 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M5M51008P-70L | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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| M5M51008P-70LL | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
|
| M5M51008P-85LL-W | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 |
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| M5M51008P-85L-W | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 |
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| M5M51008RV-10L | MITSUBISHI |
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1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
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| M5M51008RV-10L-I | MITSUBISHI |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 |
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| M5M51008RV-10LL | MITSUBISHI |
获取价格 |
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM |
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| M5M51008RV-10LL-I | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 |
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| M5M51008RV-10LLT | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, PLASTIC, TSOP-32 |
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| M5M51008RV-10LL-W | MITSUBISHI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, TSOP-32 |
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