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M5M51008BVP-10VLL PDF预览

M5M51008BVP-10VLL

更新时间： 2024-01-24 08:52:08
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 64K
描述
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM

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M5M51008BVP-10VLL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.79Is Samacsys：N
最长访问时间：100 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP32,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.00001 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.035 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：MIXMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8 mmBase Number Matches：1

M5M51008BVP-10VLL 数据手册

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1997-1/21  
MITSUBISHI LSIs  
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR -70VL,-10VL,-12VL,-15VL,  
-70VLL,-10VLL,-12VLL,-15VLL  
1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM  
DESCRIPTION  
The M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR are  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
a
1048576-bit CMOS  
static RAM organized as 131072 word by 8-bit which are  
fabricated using high-performance triple polysilicon CMOS  
technology. The use of resistive load NMOS cells and CMOS  
periphery result in a high density and low power static RAM.  
They are low standby current and low operation current and ideal  
for the battery back-up application.  
The M5M51008BVP,RV,KV,KR are packaged in a 32-pin thin  
small outline package which is a high reliability and high density  
surface mount device(SMD).Two types of devices are available.  
VP,KV(normal lead bend type package),RV,KR(reverse lead bend  
type package). Using both types of devices, it becomes very easy  
to design a printed circuit board.  
1
2
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
NC  
A16  
A14  
A12  
A7  
VCC  
A15  
S2  
ADDRESS  
INPUT  
CHIP SELECT  
INPUT  
WRITE CONTROL  
INPUT  
3
4
W
5
A13  
A8  
6
A6  
ADDRESS  
INPUTS  
ADDRESS  
INPUTS  
7
A5  
A9  
8
A4  
A11  
OE  
A10  
OUTPUT ENABLE  
INPUT  
9
A3  
ADDRESS  
10  
11  
12  
13  
A2  
INPUT  
CHIP SELECT  
INPUT  
A1  
S1  
A0  
DQ8  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
FEATURES  
DQ1  
Power supply current  
Access  
DATA  
INPUTS/  
OUTPUTS  
DATA  
INPUTS/  
OUTPUTS  
DQ2 14  
Active  
(1MHz)  
(max)  
time  
Type name  
VCC  
stand-by  
(max)  
15  
(max)  
DQ3  
16  
GND  
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-70VL  
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-10VL  
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-12VL  
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-15VL  
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-70VLL  
70ns  
100ns  
120ns  
150ns  
70ns  
3.3±0.3V  
3.0±0.3V  
3.3±0.3V  
3.0±0.3V  
60µA  
55µA  
12µA  
11µA  
10mA  
10mA  
10mA  
10mA  
Outline 32P2M-A  
1
32  
A11  
OE  
2
31  
A9  
A10  
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-10VLL 100ns  
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-12VLL 120ns  
M5M51008BFP,VP,RV,KV,KR-15VLL 150ns  
3
30  
S1  
A8  
4
29  
A13  
DQ8  
5
28  
W
DQ7  
6
27  
S2  
DQ6  
7
26  
Low stand-by current 0.3µA (typ.)  
Directly TTL compatible : All inputs and outputs  
A15  
DQ5  
8
25  
VCC  
DQ4  
M5M51008BVP,KV  
Easy memory expansion and power down by S1,S2  
Data hold on +2V power supply  
Three-state outputs : OR - tie capability  
OE prevents data contention in the I/O bus  
Common data I/O  
9
24  
NC  
GND  
10  
23  
A16  
DQ3  
11  
22  
A14  
DQ2  
12  
21  
A12  
DQ1  
13  
20  
A7  
A0  
Package  
14  
19  
A6  
A1  
M5M51008BFP  
···········3· 2pin 525mil SOP  
M5M51008BVP,RV ···········3·2pin 8 X 20 mm2 TSOP  
A5  
A4  
A2  
15  
18  
M5M51008BKV,KR ···········3· 2pin 8 X 13.4 mm2 TSOP  
16  
17  
A3  
Outline 32P3H-E(VP), 32P3K-B(KV)  
APPLICATION  
Small capacity memory units  
A4  
A5  
A6  
A7  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
16  
15  
14  
13  
A3  
A2  
A1  
A0  
A12 12  
A14 11  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
GND  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
S1  
A16  
NC  
VCC  
A15  
S2  
10  
9
24  
M5M51008BRV,KR  
8
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
7
6
5
W
4
A13  
A8  
3
2
A9  
A10  
OE  
1
A11  
Outline 32P3H-F(RV), 32P3K-C(KR)  
NC : NO CONNECTION  
1
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M51008BVP-10VLLT MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 128KX8, 100ns, MIXMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-32
M5M51008BVP-10VLT MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 128KX8, 100ns, MIXMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-32
M5M51008BVP-12VL MITSUBISHI

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 		1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM
M5M51008BVP-12VLL MITSUBISHI

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 		1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM
M5M51008BVP-12VLLT MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 128KX8, 120ns, MIXMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-32
M5M51008BVP-12VLT MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 128KX8, 120ns, MIXMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-32
M5M51008BVP-15VL MITSUBISHI

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 		1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM
M5M51008BVP-15VLL MITSUBISHI

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 		1048576-BIT(131072-WORD BY 8-BIT)CMOS STATIC RAM
M5M51008BVP-15VLLT MITSUBISHI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX8, 150ns, MIXMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-32
M5M51008BVP-15VLT MITSUBISHI

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