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M5M44400BL-8

更新时间： 2024-01-28 14:45:26

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	932K
描述
Fast Page DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20

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M5M44400BL-8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ZIP
包装说明：	ZIP, ZIP20,.1	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.9
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PZIP-T20	JESD-609代码：	e0
长度：	25.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	ZIP
封装等效代码：	ZIP20,.1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	10.16 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	2.8 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...24

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M5M44400BRT-5	MITSUBISHI	FAST PAGE MODE 4194304-BIT(1048576-WORD BY 4-BIT)DYNAMIC RAM	获取价格
M5M44400BRT-5S	MITSUBISHI	FAST PAGE MODE 4194304-BIT(1048576-WORD BY 4-BIT)DYNAMIC RAM	获取价格
M5M44400BRT-5ST	MITSUBISHI	Fast Page DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20	获取价格
M5M44400BRT-6	MITSUBISHI	FAST PAGE MODE 4194304-BIT(1048576-WORD BY 4-BIT)DYNAMIC RAM	获取价格
M5M44400BRT-6S	MITSUBISHI	FAST PAGE MODE 4194304-BIT(1048576-WORD BY 4-BIT)DYNAMIC RAM	获取价格
M5M44400BRT-6ST	MITSUBISHI	Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20	获取价格