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M5M416400RT-7T

更新时间： 2024-01-23 16:26:33

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	669K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24

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M5M416400RT-7T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2-R,	针数：	28/24
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
长度：	18.41 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2-R	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M416400RT-8T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24
M5M416400TP-6T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24
M5M416400TP-8T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24
M5M416405CJ-5	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24
M5M416405CJ-5T	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24
M5M416405CJ-6S	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24
M5M416405CJ-6ST	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24
M5M416405CJ-7	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24
M5M416405CJ-7S	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24
M5M416405CJ-7T	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24