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M5M41002BJ-10T

更新时间： 2024-11-25 21:20:27

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	488K
描述
Static Column DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

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M5M41002BJ-10T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	STATIC COLUMN	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J20
长度：	17.15 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STATIC COLUMN DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	3.55 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M41002BJ-7T	MITSUBISHI	获取价格	Static Column DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
M5M41002BJ-8T	MITSUBISHI	获取价格	Static Column DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
M5M41002BL-10	MITSUBISHI	获取价格	Static Column DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PZIP19, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20/19
M5M41002BL-8	MITSUBISHI	获取价格	Static Column DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PZIP19, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20/19
M5M41002BP-10	MITSUBISHI	获取价格	Static Column DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
M5M410092ARF-10	MITSUBISHI	获取价格	Video DRAM, 320KX32, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, LQFP-128
M5M410092BFP	MITSUBISHI	获取价格	3D-RAM (M5M410092B)
M5M410092BFP-13	MITSUBISHI	获取价格	Memory Circuit, 320KX32, CMOS, PQFP128, PLASTIC, QFP-128
M5M410092BRF	MITSUBISHI	获取价格	3D-RAM (M5M410092B)
M5M410092BRF-13	MITSUBISHI	获取价格	Memory Circuit, 320KX32, CMOS, PQFP128, PLASTIC, QFP-128