Datasheet > M470T2953EZ3-CCC

M470T2953EZ3-CCC

更新时间： 2024-02-08 10:48:36

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	353K
描述
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M470T2953EZ3-CCC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SODIMM	包装说明：	DIMM, DIMM200,24
针数：	200	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XZMA-N200
内存密度：	8589934592 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	200
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	95 °C
最低工作温度：		组织：	128MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM200,24
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.128 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.72 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.6 mm
端子位置：	ZIG-ZAG	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

M470T2953EZ3-CCC 数据手册

SODIMM

DDR2 SDRAM

DDR2 Unbuffered SODIMM

200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb E-die

64bit Non-ECC

60FBGA & 84FBGA with Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure couldresult in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.4 April 2007

1 of 20

12 3 4 5 6 7...20

中文翻译

下载PDF

与M470T2953EZ3-CCC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M470T2953EZ3-CD5	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T2953EZ3-CE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T2953EZ3-LCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T2953EZ3-LE6	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T2953EZ3-LE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
M470T3354BG0-CD5/CC	SAMSUNG	获取价格	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC
M470T3354BG3-CCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.6ns, CMOS, SODIMM-200
M470T3354BG3-CD5	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.5ns, CMOS, SODIMM-200
M470T3354BG3-CD5/CC	SAMSUNG	获取价格	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC
M470T3354BGZ0-CD5/CC	SAMSUNG	获取价格	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC

与M470T2953EZ3-CCC相关文章

LM317T数据手册解读：产品特性、应用、封装与引脚详解
2024-06-14

3
一文带你了解?DB3二极管好坏判断、参数信息、替代推荐
2024-06-14

7
LM358DR数据手册：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
2024-06-14

2
OP07CP数据手册解读：引脚信息、电子参数
2024-06-14

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M470T2953EZ3-CCC

M470T2953EZ3-CCC 技术参数

M470T2953EZ3-CCC 数据手册

与M470T2953EZ3-CCC相关器件

与M470T2953EZ3-CCC相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M470T2953EZ3-CCC

M470T2953EZ3-CCC 技术参数

M470T2953EZ3-CCC 数据手册

与M470T2953EZ3-CCC相关器件

与M470T2953EZ3-CCC相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？