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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DMA | 包装说明： | DIMM, DIMM172,20 |
| 针数： | 172 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.28 |
| 风险等级： | 5.92 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.7 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N172 | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 172 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8MX64 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM172,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源： | 2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 自我刷新： | YES | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 1.38 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M463L0914DT0-LA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 8MX64, 0.8ns, CMOS, MICRO, SODIMM-172 |
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| M463L0914DT0-LA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 8MX64, 0.75ns, CMOS, MICRO, SODIMM-172 |
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| M463L0914DT0-LB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 8MX64, 0.75ns, CMOS, MICRO, SODIMM-172 |
|
| M463L0914DT0-LB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 8MX64, 0.7ns, CMOS, MICRO, SODIMM-172 |
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| M463L1624BG0-CA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM, |
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| M463L1624BG0-CB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM, |
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| M463L1624BG0-LA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM, |
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| M463L1624BG0-LA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM, |
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| M463L1624BG0-LB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM, |
|
| M463L1624BT0-CA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-172 |
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