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M39832-B12WNE1T

更新时间： 2024-10-04 22:13:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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36页 255K
描述
Single Chip 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16 Flash and 256 Kbit Parallel EEPROM Memory

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M39832-B12WNE1T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.4最长访问时间：120 ns
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
混合内存类型：EEPROM+FLASH功能数量：1
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL电源：3/3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 msBase Number Matches：1

M39832-B12WNE1T 数据手册

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M39832  
Single Chip 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16) Flash and  
256 Kbit Parallel EEPROM Memory  
PRELIMINARY DATA  
2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPARATIONS  
FLASH ARRAY  
– Boot block (Top or Bottom location)  
– Parameter and Main blocks  
– Selectable x8/x16 Data Bus (BYTE pin).  
EEPROM ARRAY  
– x8 Data Bus only.  
TSOP48 (NE)  
12 x 20 mm  
120ns ACCESS TIME  
(Flash and EEPROM array)  
WRITE, PROGRAM and ERASE STATUS BITS  
CONCURRENT MODE (Read Flash while  
writing to EEPROM)  
100,000 ERASE/WRITE CYCLES  
10 YEARS DATA RETENTION  
LOW POWER CONSUMPTION  
– Stand-by mode: 100µA  
Figure 1. Logic Diagram  
– Automatic Stand-by mode  
V
CC  
64 bytes ONE TIME PROGRAMMABLE  
MEMORY (x8 Data Bus only)  
STANDARD EPROM/OTP MEMORY  
PACKAGE  
19  
15  
A0-A18  
DQ0-DQ14  
EXTENDED TEMPERATURE RANGES  
W
EE  
EF  
G
DQ15A–1  
BYTE  
ERB  
DESCRIPTION  
M39832  
The M39832 is a memory device combining Flash  
and EEPROM into a single chip and using single  
supply voltage. The memory is mapped in two  
arrays: 8 Mbit of Flash memory and 256 Kbit of  
EEPROM memory. Each space is independant for  
writing, in concurrent mode the Flash Memory can  
be read while the EEPROM is being written.  
FRB  
RP  
An additional 64 bytes of EPROM are One Time  
Programmable.  
V
SS  
The M39832 EEPROM memory array is organized  
in byte only (regardless on the BYTE pin). It may  
be written by byte or by page of 64 bytes and the  
integrity of the data can be secured with the help  
of the Software Data Protection (SDP).  
AI00844  
February 1999  
1/36  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...36

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