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M390S3253CTU-C1H

更新时间： 2024-02-12 14:03:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	188K
描述
Synchronous DRAM Module, 32MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168

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M390S3253CTU-C1H 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM168
针数：	168	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.92	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	2415919104 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	72
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.02 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	2.21 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

M390S3253CTU-C1H 数据手册

M390S3253CTU

PC133/PC100 Low Profile Registered DIMM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Voltage on any pin relative to Vss

Voltage on VDD supply relative to Vss

Storage temperature

Symbol

VIN, VOUT

VDD, VDDQ

TSTG

Value

-1.0 ~ 4.6

-55 ~ +150

Unit

°C

Power dissipation

Short circuit current

IOS

Note :

Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded.

Functional operation should be restricted to recommended operating condition.

Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.

DC OPERATING CONDITIONS AND CHARACTERISTICS

Recommended Operating Conditions (Voltage Referenced to VSS = 0V, TA = 0 to 70°C)

Parameter

Supply voltage

Symbol

VDD

VIH

Min

3.0

2.0

-0.3

2.4

Typ

Max

Unit

Note

3.3

3.6

Input high voltage

Input low voltage

3.0

VDDQ+0.3

VIL

0.8

Output high voltage

Output low voltage

Input leakage current

VOH

VOL

ILI

IOH = -2mA

IOL = 2mA

0.4

-10

Notes :

1. VIH (max) = 5.6V AC. The overshoot voltage duration is £ 3ns.

2. VIL (min) = -2.0V AC. The undershoot voltage duration is £ 3ns.

3. Any input 0V £ VIN £ VDDQ

Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with Tri-State outputs.

CAPACITANCE (VDD = 3.3V, TA = 23°C, f = 1MHz, VREF =1.4V ± 200 mV)

Parameter

Symbol

Min

Max

Unit

Input capacitance (A0 ~ A12)

CIN1

CIN2

Input capacitance (RAS, CAS, WE)

Input capacitance (CKE0)

CIN3

Input capacitance (CLK0)

CIN4

Input capacitance (CS0, CS2)

CIN5

Input capacitance (DQM0 ~ DQM7)

Input capacitance (BA0 ~ BA1)

Data input/output capacitance (DQ0 ~ DQ63)

Data input/output capacitance (CB0 ~ CB7)

CIN6

CIN7

COUT

COUT1

Rev. 0.1 Sept. 2001

1 2 3 456 7 8...12

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