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M390S3253CTU-C1H PDF预览

M390S3253CTU-C1H

更新时间： 2024-01-01 08:41:08
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 188K
描述
Synchronous DRAM Module, 32MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168

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M390S3253CTU-C1H 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM168
针数：168Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.92访问模式：SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：6 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：100 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N168内存密度：2415919104 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度：72
湿度敏感等级：1功能数量：1
端口数量：1端子数量：168
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32MX72
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM168
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：YES最大待机电流：0.02 A
子类别：DRAMs最大压摆率：2.21 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

M390S3253CTU-C1H 数据手册

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M390S3253CTU  
PC133/PC100 Low Profile Registered DIMM  
DC CHARACTERISTICS  
(Recommended operating condition unless otherwise noted, TA = 0 to 70°C)  
Version  
-7A -1H  
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Unit Note  
- 7C  
-1L  
Burst length = 1  
tRC ³ tRC(min)  
IO = 0 mA  
Operating current  
(One bank active)  
ICC1  
1400 1310 1310 1310 mA  
1
ICC2P  
CKE £ VIL(max), tCC = 10ns  
368  
Precharge standby current  
in power-down mode  
mA  
ICC2PS CKE & CLK £ VIL(max), tCC = ¥  
20  
CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min), tCC = 10ns  
ICC2N  
530  
mA  
92  
Input signals are changed one time during 20ns  
Precharge standby current  
in non power-down mode  
CKE ³ VIH(min), CLK £ VIL(max), tCC = ¥  
ICC2NS  
Input signals are stable  
ICC3P  
CKE £ VIL(max), tCC = 10ns  
404  
Active standby current in  
power-down mode  
mA  
ICC3PS CKE & CLK £ VIL(max), tCC = ¥  
56  
CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min), tCC = 10ns  
ICC3N  
620  
227  
mA  
mA  
Active standby current in  
non power-down mode  
(One bank active)  
Input signals are changed one time during 20ns  
CKE ³ VIH(min), CLK £ VIL(max), tCC = ¥  
ICC3NS  
Input signals are stable  
IO = 0 mA  
Operating current  
(Burst mode)  
Page burst  
4Banks activated  
tCCD = 2CLKs  
ICC4  
1490 1490 1400 1400 mA  
2480 2300 2210 2210 mA  
1
2
Refresh current  
ICC5  
ICC6  
tRC ³ tRC(min)  
CKE £ 0.2V  
Self refresh current  
377  
mA  
Notes :  
1. Measured with outputs open.  
2. Refresh period is 64ms.  
3. Unless otherwise noted, input swing level is CMOS(VIH/VIL=VDDQ/VSSQ)  
Rev. 0.1 Sept. 2001  
1...3456789...12

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