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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.47 |
| Is Samacsys： | N | 系列： | S |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | 长度： | 19.56 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | NAND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.0004 A | 功能数量： | 3 |
| 输入次数： | 3 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 包装方法： | TUBE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 最大电源电流（ICC）： | 9 mA | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 9 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 9 ns | 认证状态： | Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 筛选级别： | MIL-M-38510 Class B |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | Gate |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 6.67 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M38510/07005BCB | ETC |
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Triple 3-input NAND Gate |
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| M38510/07005BCC | ETC |
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Triple 3-input NAND Gate |
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| M38510/07005BCX | ETC |
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Triple 3-input NAND Gate |
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| M38510/07005BDA | TI |
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军用 3 通道、3 输入、4.5V 至 5.5V 双极与非门 | W | 14 | -55 |
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| M38510/07005BDB | ETC |
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Triple 3-input NAND Gate |
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| M38510/07005BDC | ETC |
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Triple 3-input NAND Gate |
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| M38510/07005BDX | ETC |
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Triple 3-input NAND Gate |
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| M38510/07005CAA | ETC |
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Triple 3-input NAND Gate |
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| M38510/07005CAB | ETC |
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Triple 3-input NAND Gate |
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| M38510/07005CAC | ETC |
获取价格 |
Triple 3-input NAND Gate |
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