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M368L6423ETN-CLB3

更新时间: 2022-11-26 12:35:24
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三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
22页 378K
描述
DDR SDRAM Unbuffered Module

M368L6423ETN-CLB3 数据手册

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256MB, 512MB Unbuffered DIMM  
DDR SDRAM  
DDR SDRAM IDD spec table  
M368L3223ETN [ (32M x 8) * 8, 256MB Non ECC Module ]  
(VDD=2.7V, T = 10°C)  
Symbol  
IDD0  
B3(DDR333@CL=2.5) AA(DDR266@CL=2) A2(DDR266@CL=2) B0(DDR266@CL=2.5) Unit  
Notes  
720  
920  
24  
720  
920  
24  
640  
840  
24  
640  
840  
24  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
IDD1  
IDD2P  
IDD2F  
IDD2Q  
IDD3P  
IDD3N  
IDD4R  
IDD4W  
IDD5  
200  
160  
280  
440  
1,280  
1,280  
1,360  
24  
160  
150  
240  
360  
1,120  
1,080  
1,280  
24  
160  
150  
240  
360  
1,120  
1,080  
1,280  
24  
160  
150  
240  
360  
1,120  
1,080  
1,280  
24  
IDD6  
Normal  
Low power  
IDD7A  
12  
12  
12  
12  
mA  
mA  
Optional  
2,240  
2,240  
2,000  
2,000  
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.  
M381L3223ETM [ (32M x 8) * 9, 256MB ECC Module ]  
(VDD=2.7V, T = 10°C)  
Symbol  
B3(DDR333@CL=2.5) AA(DDR266@CL=2) A2(DDR266@CL=2) B0(DDR266@CL=2.5) Unit  
Notes  
IDD0  
IDD1  
810  
1,040  
27  
810  
1,040  
27  
720  
950  
27  
720  
950  
27  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
IDD2P  
IDD2F  
IDD2Q  
IDD3P  
IDD3N  
IDD4R  
IDD4W  
IDD5  
230  
180  
180  
170  
270  
410  
1260  
1,220  
1,440  
27  
180  
170  
270  
410  
1,260  
1,220  
1,440  
27  
180  
170  
320  
270  
500  
410  
1,440  
1,440  
1,530  
27  
1260  
1,220  
1,440  
27  
IDD6  
Normal  
Low power  
IDD7A  
14  
14  
14  
14  
Optional  
2,520  
2,520  
2,250  
2,250  
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.  
Rev. 1.1 August. 2003  

与M368L6423ETN-CLB3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M368L6423ETN-LB3 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, DIMM-184
M368L6423EUM-CC4 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 64MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184
M368L6423EUM-CCC SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 64MX64, 0.65ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184
M368L6423EUM-LCC SAMSUNG

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DDR DRAM Module, 64MX64, 0.65ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184
M368L6423EUN-CA2 SAMSUNG

获取价格

DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
M368L6423EUN-CAA SAMSUNG

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DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
M368L6423EUN-CB3 SAMSUNG

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DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184
M368L6423EUN-LA2 SAMSUNG

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DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
M368L6423EUN-LAA SAMSUNG

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DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
M368L6423FTN SANKEN

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184pin Unbuffered Module based on 256Mb F-die with 64/72-bit Non-ECC / ECC