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M29W800DT70M1E

更新时间： 2024-09-30 20:14:55

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
49页	433K
描述
512KX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO44, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SO-44

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M29W800DT70M1E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SO-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e3	长度：	28.2 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,15	端子数量：	44
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP44,.63	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	250	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	2.8 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	13.3 mm
Base Number Matches：	1

M29W800DT70M1E 数据手册

M29W800DT

M29W800DB

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

Features

■ Supply voltage

– V = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and

Read

■ Access times: 45, 70, 90ns

■ Programming time

– 10µs per Byte/Word typical

SO44 (M)

■ 19 memory blocks

– 1 Boot block (Top or Bottom location)

– 2 Parameter and 16 main blocks

■ Program/Erase controller

– Embedded Byte/Word Program algorithms

■ Erase Suspend and Resume modes

TSOP48 (N)

12 x 20 mm

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ Unlock bypass program command

FBGA

– Faster production/batch programming

■ Temporary block unprotection mode

TFBGA48 (ZE)

6 x 8 mm

■ Common flash interface

– 64-bit Security Code

■ Low power consumption

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 Program/Erase cycles per block

■ Electronic signature

– Manufacturer Code: 0020h

– Top Device Code M29W800DT: 22D7h

– Bottom Device Code M29W800DB: 225Bh

March 2006

Rev 8

1/49

www.st.com

12 3 4 5 6 7...49

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M29W800DT70M1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO44, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SO-44
M29W800DT70M1T	NUMONYX	获取价格	8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DT70M1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DT70M6E	NUMONYX	获取价格	8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DT70M6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO44, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SO-44
M29W800DT70M6F	NUMONYX	获取价格	8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DT70M6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO44, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SO-44
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