5秒后页面跳转
M29W800DT70N6T PDF预览

M29W800DT70N6T

更新时间: 2024-10-01 05:23:27
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储
页数 文件大小 规格书
52页 1105K
描述
8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory

M29W800DT70N6T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP包装说明:12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.1Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns其他特性:TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度:8启动块:TOP
命令用户界面:YES通用闪存接口:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PDSO-G48
长度:18.4 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
功能数量:1部门数/规模:1,2,1,15
端子数量:48字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:3/3.3 V
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:1.2 mm
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:12 mm
Base Number Matches:1

M29W800DT70N6T 数据手册

 浏览型号M29W800DT70N6T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M29W800DT70N6T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M29W800DT70N6T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M29W800DT70N6T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M29W800DT70N6T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M29W800DT70N6T的Datasheet PDF文件第7页 
M29W800DT  
M29W800DB  
8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block)  
3 V supply flash memory  
Features  
Supply voltage  
– V = 2.7 V to 3.6 V for program, erase and  
CC  
read  
Access times: 45, 70, 90 ns  
Programming time  
– 10 µs per byte/word typical  
SO44 (M)  
19 memory blocks  
– 1 boot block (top or bottom location)  
– 2 parameter and 16 main blocks  
Program/erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
Erase suspend and resume modes  
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
– Read and program another block during  
erase suspend  
Unlock bypass program command  
FBGA  
– Faster production/batch programming  
Temporary block unprotection mode  
TFBGA48 (ZE)  
6 x 8 mm  
Common flash interface  
– 64-bit security code  
Low power consumption  
– Standby and automatic standby  
100,000 program/erase cycles per block  
Electronic signature  
– Manufacturer code: 0020h  
Top device code M29W800DT: 22D7h  
– Bottom device code M29W800DB: 225Bh  
March 2008  
Rev 10  
1/52  
www.numonyx.com  
1

与M29W800DT70N6T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W800DT70ZA1E STMICROELECTRONICS

获取价格

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DT70ZA1F STMICROELECTRONICS

获取价格

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DT70ZA1T STMICROELECTRONICS

获取价格

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DT70ZA6E STMICROELECTRONICS

获取价格

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DT70ZA6F STMICROELECTRONICS

获取价格

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DT70ZA6T STMICROELECTRONICS

获取价格

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DT70ZE1E NUMONYX

获取价格

8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DT70ZE1E STMICROELECTRONICS

获取价格

512KX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48
M29W800DT70ZE1F NUMONYX

获取价格

8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DT70ZE1F STMICROELECTRONICS

获取价格

512KX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48