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M29W800DT70N1E

更新时间： 2024-10-01 05:23:27

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恒忆 - NUMONYX		闪存内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
52页	1105K
描述
8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory

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M29W800DT70N1E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.1
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
长度：	18.4 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,15
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

M29W800DT70N1E 数据手册

M29W800DT

M29W800DB

8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block)

3 V supply flash memory

Features

■ Supply voltage

– V = 2.7 V to 3.6 V for program, erase and

read

■ Access times: 45, 70, 90 ns

■ Programming time

– 10 µs per byte/word typical

SO44 (M)

■ 19 memory blocks

– 1 boot block (top or bottom location)

– 2 parameter and 16 main blocks

■ Program/erase controller

– Embedded byte/word program algorithms

■ Erase suspend and resume modes

TSOP48 (N)

12 x 20 mm

– Read and program another block during

erase suspend

■ Unlock bypass program command

FBGA

– Faster production/batch programming

■ Temporary block unprotection mode

TFBGA48 (ZE)

6 x 8 mm

■ Common flash interface

– 64-bit security code

■ Low power consumption

– Standby and automatic standby

■ 100,000 program/erase cycles per block

■ Electronic signature

– Manufacturer code: 0020h

– Top device code M29W800DT: 22D7h

– Bottom device code M29W800DB: 225Bh

March 2008

Rev 10

1/52

www.numonyx.com

12 3 4 5 6 7...52

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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M29W800DT70N1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29W800DT70N1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DT70N1T	NUMONYX	获取价格	8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DT70N6	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DT70N6E	NUMONYX	获取价格	8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
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M29W800DT70N6F	NUMONYX	获取价格	8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DT70N6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29W800DT70N6F	MICRON	获取价格	8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory

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