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M29W800AB90N6T

更新时间： 2024-01-04 15:59:54

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存内存集成电路光电二极管
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33页	235K
描述
8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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M29W800AB90N6T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.33	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	20 YEARS DATA RETENTION; BOTTOM BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	20
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,15	端子数量：	48
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

M29W800AB90N6T 数据手册

M29W800AT

M29W800AB

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)

Low Voltage Single Supply Flash Memory

■ 2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 80ns

■ PROGRAMMING TIME: 10µs typical

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)

– Program Byte-by-Byte or Word-by-Word

– Status Register bits and Ready/Busy Output

■ SECURITY PROTECTION MEMORY AREA

■ INSTRUCTION ADDRESS CODING: 3 digits

■ MEMORY BLOCKS

TSOP48 (N)

12 x 20mm

SO44 (M)

FBGA

– Boot Block (Top or Bottom location)

– Parameter and Main blocks

LFBGA48 (ZA)

8 x 6 solder balls

■ BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE

■ MULTI BLOCK PROTECTION/TEMPORARY

UNPROTECTION MODES

Figure 1. Logic Diagram

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Stand-by and Automatic Stand-by

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

A0-A18

DQ0-DQ14

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1ppm/year

DQ15A–1

BYTE

■ ELECTRONIC SIGNATURE

M29W800AT

M29W800AB

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code, M29W800AT: D7h

– Bottom Device Code, M29W800AB: 5Bh

AI02599

March 2000

1/33

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M29W800AB90ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB90ZA5	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 90ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
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