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M29W400B-90N5

更新时间: 2023-02-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
34页 2477K
描述
256KX16 FLASH 3V PROM, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

M29W400B-90N5 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:12 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48
针数:48Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.71Is Samacsys:N
最长访问时间:90 ns其他特性:CONFG AS 256K X 16; BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度:8启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES数据轮询:YES
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,7端子数量:48
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-20 °C组织:256KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1-R
封装等效代码:TSSOP48,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/3.3 V
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES反向引出线:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.00005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:12 mmBase Number Matches:1

M29W400B-90N5 数据手册

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