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M29W400B-90N1RTR

更新时间: 2024-02-17 21:37:05
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
34页 2477K
描述
IC,EEPROM,NOR FLASH,256KX16/512KX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC

M29W400B-90N1RTR 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最长访问时间:90 ns备用内存宽度:8
启动块:BOTTOM命令用户界面:YES
数据轮询:YES耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G48JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16部门数/规模:1,2,1,7
端子数量:48字数:262144 words
字数代码:256000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP48,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES反向引出线:YES
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.02 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL切换位:YES
类型:NOR TYPEBase Number Matches:1

M29W400B-90N1RTR 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W400B-90N1TR STMICROELECTRONICS

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4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W400B-90N5 STMICROELECTRONICS

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256KX16 FLASH 3V PROM, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W400B-90N5R STMICROELECTRONICS

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4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W400B-90N5RTR STMICROELECTRONICS

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IC,EEPROM,NOR FLASH,256KX16/512KX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC
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4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W400B-90N6R STMICROELECTRONICS

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4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
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IC,EEPROM,NOR FLASH,256KX16/512KX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC
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