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M29F002NT-70P1

更新时间： 2024-02-04 04:57:41
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 233K
描述
256KX8 FLASH 5V PROM, 70ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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M29F002NT-70P1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP32,.6
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.28最长访问时间：70 ns
其他特性：20 YEARS DATA RETENTION; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; TOP BOOT BLOCK启动块：TOP
命令用户界面：YES数据轮询：YES
数据保留时间-最小值：20耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDIP-T32JESD-609代码：e0
长度：41.91 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,3
端子数量：32字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP32,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

M29F002NT-70P1 数据手册

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M29F002T, M29F002NT, M29F002B  
PLCC32 - 32 lead Plastic Leaded Chip Carrier, rectangular  
mm  
Min  
2.54  
1.52  
–
inches  
Min  
Symb  
Typ  
Max  
3.56  
2.41  
0.38  
0.53  
0.81  
12.57  
11.56  
10.92  
15.11  
14.10  
13.46  
–
Typ  
Max  
0.140  
0.095  
0.015  
0.021  
0.032  
0.495  
0.455  
0.430  
0.595  
0.555  
0.530  
–
A
A1  
A2  
B
0.100  
0.060  
–
0.33  
0.66  
12.32  
11.35  
9.91  
14.86  
13.89  
12.45  
–
0.013  
0.026  
0.485  
0.447  
0.390  
0.585  
0.547  
0.490  
–
B1  
D
D1  
D2  
E
E1  
E2  
e
1.27  
0.89  
0.050  
0.035  
F
0.00  
–
0.25  
–
0.000  
–
0.010  
–
R
N
32  
32  
Nd  
Ne  
CP  
7
7
9
9
0.10  
0.004  
D
A1  
D1  
A2  
1 N  
B1  
e
Ne  
E1 E  
D2/E2  
F
B
0.51 (.020)  
1.14 (.045)  
Nd  
A
R
CP  
PLCC  
Drawing is not to scale.  
27/29  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F002NT-70P1TR STMICROELECTRONICS

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