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M29F002NT-120XK6TR

更新时间: 2024-02-10 21:39:50
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 199K
描述
2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory

M29F002NT-120XK6TR 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCJ,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.36
最长访问时间:120 ns其他特性:20 YEARS DATA RETENTION; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES
启动块:TOP数据保留时间-最小值:20
JESD-30 代码:R-PQCC-J32长度:13.995 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.56 mm最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
类型:NOR TYPE宽度:11.455 mm

M29F002NT-120XK6TR 数据手册

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M29F002T, M29F002NT, M29F002B  
PDIP32 - 32 pin Plastic DIP, 600 mils width  
mm  
Min  
inches  
Min  
Symb  
Typ  
Max  
5.08  
Typ  
Max  
0.200  
A
A1  
A2  
B
0.38  
3.56  
0.38  
0.015  
0.140  
0.015  
4.06  
0.51  
0.160  
0.020  
B1  
C
1.52  
0.060  
0.20  
41.78  
0.30  
42.04  
0.008  
1.645  
0.012  
1.655  
D
D2  
E
38.10  
15.24  
1.500  
0.600  
E1  
e1  
eA  
eB  
L
13.59  
13.84  
0.535  
0.545  
2.54  
0.100  
0.600  
15.24  
15.24  
3.18  
1.78  
0°  
17.78  
3.43  
2.03  
10°  
0.600  
0.125  
0.070  
0°  
0.700  
0.135  
0.080  
10°  
S
α
N
32  
32  
A2  
A
A1  
e1  
L
α
C
B1  
B
eA  
eB  
D2  
D
S
N
1
E1  
E
PDIP  
Drawing is not to scale.  
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