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M29F002NT-70P1

更新时间： 2024-02-07 00:18:28

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	233K
描述
256KX8 FLASH 5V PROM, 70ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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M29F002NT-70P1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP32,.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.28	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	20 YEARS DATA RETENTION; 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; TOP BOOT BLOCK	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	20	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDIP-T32	JESD-609代码：	e0
长度：	41.91 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,3
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

M29F002NT-70P1 数据手册

M29F002T, M29F002NT

M29F002B

2 Mbit (256Kb x8, Boot Block) Single Supply Flash Memory

NOT FOR NEW DESIGN

M29F002T, M29F002NT and M29F002B are

replaced respectively by the M29F002BT,

M29F002BNT and M29F002BB.

5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM,

ERASE and READ OPERATIONS

FAST ACCESS TIME: 70ns

FAST PROGRAMMING TIME: 10µs typical

PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)

– Program Byte-by-Byte

PLCC32 (K)

PDIP32 (P)

– Status Register bits

MEMORY BLOCKS

– Boot Block (Top or Bottom location)

– Parameter and Main blocks

BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE

MULTI-BLOCK PROTECTION/TEMPORARY

UNPROTECTION MODES

TSOP32 (N)

8 x 20mm

ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

LOW POWER CONSUMPTION

– Stand-by and Automatic Stand-by

Figure 1. Logic Diagram

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1ppm/year

ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code, M29F002T: B0h

– Device Code, M29F002NT: B0h

– Device Code, M29F002B: 34h

A0-A17

DQ0-DQ7

M29F002T

M29F002B

M29F002NT

DESCRIPTION

The M29F002 is a non-volatile memory thatmay be

erased electrically at the block or chip level and

programmed in-system on a Byte-by-Byte basis

using only a single 5V V_CCsupply.For Program and

Erase operations the necessary high voltages are

generated internally. The device can also be pro-

grammed in standard programmers.

The array matrix organisation allows each block to

be erased and reprogrammed without affecting

other blocks. Blocks can be protected against pro-

graming and erase on programming equipment,

and temporarily unprotected to make changes in

(*) RPNC

AI02078C

Note: * RPNC function is not available for the M29F002NT

July 2000

1/29

This is information on a product still in production but not recommended for new design.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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