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M28F201

更新时间： 2024-02-23 16:14:58
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存
页数 文件大小 规格书
21页 180K
描述
2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY

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M28F201 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：PLASTIC, DIP-32针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.83
最长访问时间：60 nsJESD-30 代码：R-PDIP-T32
长度：41.91 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL编程电压：12 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL类型：NOR TYPE
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

M28F201 数据手册

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M28F201  
2 Mb (256K x 8, Chip Erase) FLASH MEMORY  
5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE  
12V PROGRAMMING VOLTAGE  
FAST ACCESS TIME: 70ns  
BYTE PROGRAMMING TIME: 10µs typical  
ELECTRICALCHIP ERASE in 1s RANGE  
LOW POWER CONSUMPTION  
– Active Current: 15mAtypical  
PLCC32 (K)  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
– Stand-by Current: 10µA typical  
10,000 PROGRAM/ERASE CYCLES  
INTEGRATED ERASE/PROGRAM-STOP  
TIMER  
OTP COMPATIBLE PACKAGES and PINOUTS  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– ManufacturerCode: 20h  
Figure 1. Logic Diagram  
– Device Code: F4h  
DESCRIPTION  
The M28F201 FLASH Memory product is a non-  
volatile memories which may be erased electrically  
at the chip level and programmed byte-by-byte. It  
is organised as 256K bytes. It uses a command  
register architecture to select the operating modes  
and thus provide a simple microprocessor inter-  
face. The M28F201 FLASH Memory product is  
suitable for applicationswhere the memory has to  
be reprogrammed in the equipment. The access  
time of 70ns makes the device suitable for use in  
high speed microprocessor systems.  
V
V
PP  
CC  
18  
8
A0-A17  
DQ0-DQ7  
W
E
M28F201  
Table 1. Signal Names  
G
A0-A17  
Address Inputs  
Data Inputs / Outputs  
Chip Enable  
DQ0-DQ7  
E
V
SS  
AI00637C  
G
Output Enable  
Write Enable  
W
VPP  
VCC  
VSS  
Program Supply  
Supply Voltage  
Ground  
April 1997  
1/21  
1234567...21

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与M28F201相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M28F201-100K1 STMICROELECTRONICS

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 		256KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
M28F201-100K6 STMICROELECTRONICS

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 		256KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
M28F201-100N1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		IC,EEPROM,NOR FLASH,256KX8,CMOS,TSSOP,32PIN,PLASTIC
M28F201-100N1R STMICROELECTRONICS

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 		256KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32
M28F201-100N6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		IC,EEPROM,NOR FLASH,256KX8,CMOS,TSSOP,32PIN,PLASTIC
M28F201-120K1R STMICROELECTRONICS

获取价格

 		2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY
M28F201-120K1TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY
M28F201-120K3R STMICROELECTRONICS

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 		2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY
M28F201-120K3TR STMICROELECTRONICS

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M28F201-120K6R STMICROELECTRONICS

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