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M28F201-120K1R PDF预览

M28F201-120K1R

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存
页数 文件大小 规格书
21页 180K
描述
2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY

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M28F201-120K1R 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：QFJ
包装说明：PLASTIC, LCC-32针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.45
最长访问时间：120 nsJESD-30 代码：R-PQCC-J32
长度：13.995 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
编程电压：12 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.56 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
类型：NOR TYPE宽度：11.455 mm
Base Number Matches：1

M28F201-120K1R 数据手册

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M28F201  
2 Mb (256K x 8, Chip Erase) FLASH MEMORY  
5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE  
12V PROGRAMMING VOLTAGE  
FAST ACCESS TIME: 70ns  
BYTE PROGRAMMING TIME: 10µs typical  
ELECTRICALCHIP ERASE in 1s RANGE  
LOW POWER CONSUMPTION  
– Active Current: 15mAtypical  
PLCC32 (K)  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
– Stand-by Current: 10µA typical  
10,000 PROGRAM/ERASE CYCLES  
INTEGRATED ERASE/PROGRAM-STOP  
TIMER  
OTP COMPATIBLE PACKAGES and PINOUTS  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– ManufacturerCode: 20h  
Figure 1. Logic Diagram  
– Device Code: F4h  
DESCRIPTION  
The M28F201 FLASH Memory product is a non-  
volatile memories which may be erased electrically  
at the chip level and programmed byte-by-byte. It  
is organised as 256K bytes. It uses a command  
register architecture to select the operating modes  
and thus provide a simple microprocessor inter-  
face. The M28F201 FLASH Memory product is  
suitable for applicationswhere the memory has to  
be reprogrammed in the equipment. The access  
time of 70ns makes the device suitable for use in  
high speed microprocessor systems.  
V
V
PP  
CC  
18  
8
A0-A17  
DQ0-DQ7  
W
E
M28F201  
Table 1. Signal Names  
G
A0-A17  
Address Inputs  
Data Inputs / Outputs  
Chip Enable  
DQ0-DQ7  
E
V
SS  
AI00637C  
G
Output Enable  
Write Enable  
W
VPP  
VCC  
VSS  
Program Supply  
Supply Voltage  
Ground  
April 1997  
1/21  
1234567...21

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与M28F201-120K1R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M28F201-120K1TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY
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