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M27C400-80XF6TR

更新时间： 2024-02-10 03:13:49
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
14页 123K
描述
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM

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M27C400-80XF6TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：FRIT SEALED, WINDOWED, CERAMIC, DIP-40
针数：40Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.61
风险等级：5.89最长访问时间：80 ns
备用内存宽度：8I/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-GDIP-T40JESD-609代码：e0
长度：52.195 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：UVPROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：40
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：WDIP封装等效代码：DIP40,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE, WINDOW
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.97 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：EPROMs最大压摆率：0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.25 V最小供电电压 (Vsup)：4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

M27C400-80XF6TR 数据手册

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M27C400  
(1)  
Table 8A. Read Mode AC Characteristics  
(T = 0 to 70 °C or –40 to 85 °C; V = 5V ± 5% or 5V ± 10%; V = V )  
A
CC  
PP  
CC  
M27C400  
(3)  
Symbol  
Alt  
Parameter  
Test Condition  
-70  
Min Max Min Max  
Unit  
-55  
t
t
t
E = V , G = V  
Address Valid to Output Valid  
BYTE High to Output Valid  
55  
55  
55  
30  
70  
70  
70  
35  
ns  
ns  
ns  
ns  
AVQV  
ACC  
IL  
IL  
IL  
t
E = V , G = V  
BHQV  
ST  
IL  
t
t
G = V  
Chip Enable Low to Output Valid  
Output Enable Low to Output Valid  
ELQV  
CE  
IL  
t
t
E = V  
GLQV  
OE  
IL  
(2)  
(2)  
(2)  
t
E = V , G = V  
BYTE Low to Output Hi-Z  
30  
30  
30  
30  
30  
30  
ns  
ns  
t
t
STD  
IL  
IL  
BLQZ  
t
G = V  
Chip Enable High to Output Hi-Z  
0
0
DF  
IL  
EHQZ  
t
E = V  
Output Enable High to Output Hi-Z  
Address Transition to Output Transition  
BYTE Low to Output Transition  
0
5
5
0
5
5
ns  
ns  
ns  
t
DF  
IL  
GHQZ  
t
t
E = V , G = V  
AXQX  
OH  
OH  
IL  
IL  
IL  
t
t
E = V , G = V  
BLQX  
IL  
Note: 1. V must be applied simultaneously with or before V and removed simultaneously or after V  
PP  
CC  
PP  
2. Sampled only, not 100% tested.  
3. Speed obtained with High Speed measurement conditions.  
(1)  
Table 8B. Read Mode AC Characteristics  
(T = 0 to 70 °C or –40 to 85 °C; V = 5V ± 5% or 5V ± 10%; V = V )  
A
CC  
PP  
CC  
M27C400  
-80 -100  
Min Max Min Max  
Symbol  
Alt  
Parameter  
Test Condition  
Unit  
t
t
t
E = V , G = V  
Address Valid to Output Valid  
BYTE High to Output Valid  
80  
80  
80  
40  
40  
100  
100  
100  
50  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
AVQV  
ACC  
IL  
IL  
IL  
t
ST  
E = V , G = V  
BHQV  
IL  
t
t
G = V  
Chip Enable Low to Output Valid  
Output Enable Low to Output Valid  
BYTE Low to Output Hi-Z  
ELQV  
CE  
IL  
t
t
E = V  
GLQV  
OE  
IL  
(2)  
(2)  
(2)  
t
E = V , G = V  
50  
t
STD  
IL  
IL  
BLQZ  
t
DF  
G = V  
Chip Enable High to Output Hi-Z  
Output Enable High to Output Hi-Z  
0
0
40  
40  
0
0
50  
50  
ns  
ns  
t
IL  
EHQZ  
t
DF  
E = V  
t
IL  
GHQZ  
t
t
E = V , G = V  
Address Transition to Output Transition  
BYTE Low to Output Transition  
5
5
5
5
ns  
ns  
AXQX  
OH  
OH  
IL  
IL  
IL  
t
t
E = V , G = V  
BLQX  
IL  
Note: 1. V must be applied simultaneously with or before V and removed simultaneously or after V  
PP  
CC  
PP  
2. Sampled only, not 100% tested.  
6/14  
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