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M27C400-80XF6TR PDF预览

M27C400-80XF6TR

更新时间： 2024-02-09 23:46:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
14页 123K
描述
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM

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M27C400-80XF6TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：FRIT SEALED, WINDOWED, CERAMIC, DIP-40
针数：40Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.61
风险等级：5.89最长访问时间：80 ns
备用内存宽度：8I/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-GDIP-T40JESD-609代码：e0
长度：52.195 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：UVPROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：40
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：WDIP封装等效代码：DIP40,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE, WINDOW
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.97 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：EPROMs最大压摆率：0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.25 V最小供电电压 (Vsup)：4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

M27C400-80XF6TR 数据手册

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M27C400  
Table 5. AC Measurement Conditions  
High Speed  
≤ 10ns  
Standard  
≤ 20ns  
Input Rise and Fall Times  
Input Pulse Voltages  
0 to 3V  
1.5V  
0.4V to 2.4V  
0.8V and 2V  
Input and Output Timing Ref. Voltages  
Figure 3. Testing Input Output Waveform  
Figure 4. AC Testing Load Circuit  
1.3V  
High Speed  
3V  
1N914  
1.5V  
3.3kΩ  
0V  
DEVICE  
UNDER  
TEST  
OUT  
Standard  
2.4V  
C
L
2.0V  
0.8V  
0.4V  
C
C
C
= 30pF for High Speed  
= 100pF for Standard  
includes JIG capacitance  
L
L
L
AI01822  
AI01823B  
(1)  
Table 6. Capacitance  
Symbol  
(T = 25 °C, f = 1 MHz)  
A
Parameter  
Test Condition  
Min  
Max  
10  
Unit  
pF  
Input Capacitance (except BYTEV  
)
PP  
V
= 0V  
= 0V  
= 0V  
IN  
IN  
C
IN  
Input Capacitance (BYTEV  
Output Capacitance  
)
V
120  
12  
pF  
PP  
C
OUT  
V
OUT  
pF  
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.  
Two Line Output Control  
For the most efficient use of these two control  
lines, E should be decoded and used as the prima-  
ry device selecting function, while G should be  
made a common connection to all devices in the  
array and connected to the READ line from the  
system control bus. This ensures that all deselect-  
ed memory devices are in their low power standby  
mode and that the output pins are only active  
when data is required from a particular memory  
device.  
Because EPROMs are usually used in larger  
memory arrays, this product features a 2-line con-  
trol function which accommodates the use of mul-  
tiple memory connection. The two-line control  
function allows:  
a. the lowest possible memory power dissipation  
b. complete assurance that output bus contention  
will not occur.  
4/14  
1234567...14

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