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M27C2001-55C1

更新时间: 2024-11-06 19:58:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器OTP只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 200K
描述
256KX8 OTPROM, 55ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32

M27C2001-55C1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFJ包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
针数:32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.8最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQCC-J32
JESD-609代码:e3长度:13.995 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:OTP ROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC32,.5X.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.56 mm
最大待机电流:0.0001 A子类别:OTP ROMs
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11.4554 mmBase Number Matches:1

M27C2001-55C1 数据手册

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M27C2001  
2 Mbit (256Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM  
Features  
5V ± 10% supply voltage in Read operation  
Access time: 55ns  
32  
32  
1
1
Low power consumption:  
– Active Current 30mA at 5MHz  
– Standby Current 100µA  
FDIP32W (F)  
PDIP32 (B)  
Programming voltage: 12.75V ± 0.25V  
Programming time: 100µs/word  
Electronic signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 61h  
PL32 (C)  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
Packages  
®
– ECOPACK packages available.  
May 2006  
Rev 4  
1/25  
www.st.com  
1

M27C2001-55C1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M27C2001-55C1TR STMICROELECTRONICS

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M27C2001-55C1X STMICROELECTRONICS

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2 Mbit 256Kb x 8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C2001-55C1XTR STMICROELECTRONICS

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IC,EPROM,256KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC
M27C2001-55C6TR STMICROELECTRONICS

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2 Mbit 256Kb x 8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C2001-55C6X STMICROELECTRONICS

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2 Mbit 256Kb x 8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C2001-55F6 STMICROELECTRONICS

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256KX8 UVPROM, 55ns, CDIP32, LEAD FREE, WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-32
M27C2001-55F6TR STMICROELECTRONICS

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