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M27C1001-25XB3

更新时间: 2024-11-16 19:32:39
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器OTP只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 217K
描述
128KX8 OTPROM, 250ns, PDIP32, 0.600 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-32

M27C1001-25XB3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.600 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-32针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.82
最长访问时间:250 ns其他特性:00.1.142
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e3长度:42.035 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:OTP ROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.83 mm
最大待机电流:0.0001 A子类别:OTP ROMs
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

M27C1001-25XB3 数据手册

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M27C1001  
1 Mbit (128 Kbit x 8) UV EPROM and OTP EPROM  
Features  
5v ± 10% Supply Voltage in Read Operation  
Access Time: 35ns  
32  
32  
Low Power Consumption:  
– Active Current: 30 mA at 5 MHz  
– Standby Current: 100 µA  
1
1
FDIP32W (F)  
PDIP32 (B)  
Programming Voltage: 12.75V ± 0.25V  
Programming Time: 100 µs/word  
Electronic Signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 05h  
PLCC32 (C)  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
ECOPACK® packages available  
April 2006  
Rev 5  
1/24  
www.st.com  
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IC,EPROM,128KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC
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