Datasheet > M27C1001-10F1

M27C1001-10F1

更新时间： 2024-11-15 20:37:15

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	163K
描述
128KX8 UVPROM, 100ns, CDIP32, LEAD FREE, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M27C1001-10F1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	LEAD FREE, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.61	风险等级：	8.56
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	00.1.142
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T32
JESD-609代码：	e3	长度：	41.885 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	UVPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	WDIP
封装等效代码：	DIP32,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE, WINDOW	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	245	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.72 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	EPROMs
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

M27C1001-10F1 数据手册

M27C1001

1 Mbit (128Kb x8) UV EPROM and OTP EPROM

■ 5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE in READ

OPERATION

■ ACCESS TIME: 35ns

■ LOW POWER CONSUMPTION:

– Active Current 30mA at 5Mhz

– Standby Current 100µA

FDIP32W (F)

PDIP32 (B)

■ PROGRAMMING VOLTAGE: 12.75V ± 0.25V

■ PROGRAMMING TIME: 100µs/word

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code: 05h

LCCC32W (L)

DESCRIPTION

The M27C1001 is a 1 Mbit EPROM offered in the

two ranges UV (ultra violet erase) and OTP (one

time programmable). It is ideally suited for micro-

processor systems requiring large programs and

is organized as 131,072 words of 8 bits.

PLCC32 (C)

TSOP32 (N)

8 x 20 mm

The FDIP32W (window ceramic frit-seal package)

and the LCCC32W (leadless chip carrier package)

have a transparent lids which allow the user to ex-

pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-

tern. A new pattern can then be written to the

device by following the programming procedure.

Figure 1. Logic Diagram

For applications where the content is programmed

only one time and erasure is not required, the

M27C1001 is offered in PDIP32, PLCC32 and

TSOP32 (8 x 20 mm) packages.

A0-A16

Q0-Q7

M27C1001

AI00710B

June 2002

1/17

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

M27C1001-10F1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TMS27C010A-10JL	TI	类似代替	1 048 576-Bit Programmable Read-Only Memory 32-CDIP 0 to 70

与M27C1001-10F1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M27C1001-10F1L	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,EPROM,128KX8,CMOS,DIP,32PIN,CERAMIC
M27C1001-10F1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1 Mbit 128Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C1001-10F1X	STMICROELECTRONICS	获取价格	1 Mbit 128Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C1001-10F3TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1 Mbit 128Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C1001-10F3X	STMICROELECTRONICS	获取价格	1 Mbit 128Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C1001-10F6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1 Mbit 128Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C1001-10F6X	STMICROELECTRONICS	获取价格	1 Mbit 128Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM
M27C1001-10FTR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1 Mbit (128 Kbit x 8) UV EPROM and OTP EPROM
M27C1001-10L1	STMICROELECTRONICS	获取价格	128KX8 UVPROM, 100ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
M27C1001-10L1LTR	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,EPROM,128KX8,CMOS,LLCC,32PIN,CERAMIC

与M27C1001-10F1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

6
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

3
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

29
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M27C1001-10F1

M27C1001-10F1 技术参数

M27C1001-10F1 数据手册

M27C1001-10F1 替代型号

与M27C1001-10F1相关器件

与M27C1001-10F1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M27C1001-10F1

M27C1001-10F1 技术参数

M27C1001-10F1 数据手册

M27C1001-10F1 替代型号

与M27C1001-10F1相关器件

与M27C1001-10F1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？