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M1MA151AT1 PDF预览

M1MA151AT1

更新时间： 2024-02-01 22:19:52
品牌 Logo 应用领域
ETL 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 117K
描述
Single Silicon Switching Diodes

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M1MA151AT1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-59包装说明：LEAD FREE, CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.44配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向恢复时间：0.003 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

M1MA151AT1 数据手册

 浏览型号M1MA151AT1的Datasheet PDF文件第2页 
Single Silicon Switching Diodes  
These Silicon Epitaxial Planar Diodes are designed for use  
in ultra high speed switching applications. These devices are  
housed in the SC-59 package which is designed for low power  
surface mount applications.  
M1MA151AT1  
M1MA152AT1  
• Fast t rr , < 3.0 ns  
• Low CD , < 2.0 pF  
SC-59 PACKAGE  
SINGLE SILICON  
SWITCHING DIODES  
40/80 V-100mA  
• Available in 8 mm Tape and Reel  
Use M1MA151/2AT1 to order the 7 inch/3000 unit reel.  
Use M1MA151/2AT3 to order the 13 inch/10,000 unit reel.  
SURFACE MOUNT  
ANODE  
3
3
2
1
CASE 318D–03, STYLE4  
SC–59  
2
1
CATHODE NO CONNECTION  
MAXIMUM R ATINGS (T A = 25°C)  
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Reverse Voltage  
M1MA151AT1  
M1MA152AT1  
M1MA151AT1  
M1MA152AT1  
V R  
Vdc  
80  
Peak Reverse Voltage  
V RM  
40  
Vdc  
80  
Forward Current  
IF  
100  
225  
500  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
Peak Forward Current  
Peak Forward Surge Current  
I FM  
(1)  
I FSM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Rating  
Symbo  
PD  
lMax  
200  
Unit  
mW  
°C  
Power Dissipation  
Junction Temperature  
TJ  
150  
Storage Temperature  
T stg  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)  
Characteristic  
Reverse Voltage Leakage Current M1MA151AT1  
M1MA152AT1  
Symbol  
I R  
Condition  
V R = 35 V  
V R = 75 V  
I F = 100 mA  
I R = 100 µA  
Min  
—
Max  
0.1  
0.1  
1.2  
—
Unit  
µAdc  
—
Forward Voltage  
V
—
Vdc  
Vdc  
F
Reverse Breakdown Voltage  
M1MA151AT1  
M1MA152AT1  
V R  
40  
80  
—
—
Diode Capacitance  
CD  
V R = 0, f = 1.0 MHz  
I F = 10 mA, V R = 6.0 V,  
RL = 100Ω, Irr = 0.1 I R  
2.0  
3.0  
pF  
ns  
(2)  
Reverse Recovery Time  
trr  
—
1. t = 1 SEC  
2. t rr Test Circuit  
H1–1/2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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