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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSOP2, TSOP40/44,.46,32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | EDO PAGE | 最长访问时间： | 28 ns |
| 其他特性： | SELF REFRESH | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G40 | 长度： | 18.41 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 40 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP40/44,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 512 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.19 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| M11L416256SA-35JP | ESMT | 256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE |
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| M11L416256SA-35T | ESMT | EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40 |
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| M11L416256SA-35TG | ESMT | 256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE |
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| M11L416256SA-40J | ESMT | EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40 |
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| M11L416256SA-40T | ESMT | EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40 |
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| M12 | CONEC | Field Attachable |
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