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M11L416256SA-28T

更新时间： 2023-05-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
晶豪 - ESMT		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	230K
描述
EDO DRAM, 256KX16, 28ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40

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M11L416256SA-28T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSOP2, TSOP40/44,.46,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
访问模式：	EDO PAGE	最长访问时间：	28 ns
其他特性：	SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	长度：	18.41 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	40
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP40/44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	512	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

M11L416256SA-28T 数据手册

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M11L416256A/M11L416256SA

READ CYCLE

t_{R C}

t_{R A S}

t_{R P}

V ^{I H}

V I L

RA S

t_{C S H}

t_{R S H}

t_{RR H}

t_{C R P}

t_{C LC H}

t_{R C D}

t _{C A S}

V I H

V ^{I L}

CA SL ,C AS H

t_{A R}

t_{R A L}

t_{C A H}

t_{R AD}

t_{R AH}

t_{A S C}

t_{A S R}

V ^{I H}

V I L

AD D R

W E

R O W

C O L U M N

t_{RC H}

t_{R C S}

V I H

V ^{I L}

t _{A A}

t_{R AC}

NO TE1

t_{O F F 1}

t_{C AC}

t_{C L Z}

VO H

VO L

I/ O

OP EN

O PE N

VAL ID D A TA

t_{O F F 2}

t_{O A C}

V ^{I H}

V I L

EARLY WRITE CYCLE

t_{R C}

t_{R A S}

t_{R P}

V ^IH

V IL

R A S

t_{C S H}

t_{R S H}

t_{C R P}

t_{RC D}

t_{C A S}t_{CL C H}

V I H

V ^{I L}

CA SL ,C AS H

t_{A R}

t_{R A L}

t_{C A H}

t_{R AD}

t_{R AH}

t _{A S R}

t_{A S C}

V I H

V ^{I L}

C O L U M N

R O W

A D D R

R O W

t_{C W L}

t_{R W L}

t_{W C R}

t_{W C H}

t_{W C S}

t_{W P}

V ^{I H}

V I L

W E

t_{D H R}

t_{D H}

t_{D S}

V ^IH

V IL

I/O

VA LI D D AT A

V IH

V IL

DON'T CARE

UNDEFINED

OFF1

Note: 1. t

is referenced from the rising edge of RAS or CAS , whichever occurs last.

Elite Memory Technology Inc

Publication Date: Agu. 2001

Revision : 1.3

8/16

1...5 6 789 10 11...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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M11L416256SA-35TG	ESMT	获取价格	256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE
M11L416256SA-40J	ESMT	获取价格	EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40
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