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Datasheet > M11L416256SA-28T
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M11L416256SA-28T

更新时间： 2024-01-02 04:28:07
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 230K
描述
EDO DRAM, 256KX16, 28ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40

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M11L416256SA-28T 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：TSOP2, TSOP40/44,.46,32
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
访问模式：EDO PAGE最长访问时间：28 ns
其他特性：SELF REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G40长度：18.41 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：40
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP40/44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：512座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

M11L416256SA-28T 数据手册

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M11L416256A/M11L416256SA  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Voltage on Any pin Relative to Vss … ……-0.5V to +4.6V  
Permanent device damage may occur if “Absolute  
Maximum Ratings” are exceeded. This is a stress rating  
only, and functional operation of the device above those  
conditions indicated in the operational sections of this  
specification is not implied. Exposure to absolute  
maximum rating conditions for extended periods may  
affect reliability.  
A
°
C
to +70°  
Operating Temperature, T (ambient) ….0  
C
Storage Temperature (plastic) ……….-55  
to +150  
°C  
°C  
Power Dissipation …………………………………0.8W  
Short Circuit Output Current ……………………50mA  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED  
OPERATING CONDITIONS  
PARAMETER  
A
CC  
(0 ° ≤ T ≤ 70 ° ; V = 3.3V ± 10% unless otherwise noted)  
C
C
CONDITIONS  
SYMBOL  
MIN  
3.0  
0
MAX  
3.6  
0
UNITS NOTES  
Supply Voltage  
CC  
V
V
V
1
Supply Voltage  
SS  
IH  
V
CC  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
Input Leakage Current  
V
V
2.0  
-0.3  
-10  
V
+0.3  
V
1
1
IL  
0.8  
10  
V
µ A  
LI  
IN  
IH  
I
0V ≤ V ≤ V (max)  
0V ≤ V  
Output(s) disable  
OUT ≤ VCC  
Output Leakage Current  
µ A  
LO  
I
-10  
10  
OH  
OH  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
I
I
= -2 mA  
= 2 mA  
V
2.4  
-
-
V
V
OL  
OL  
V
0.4  
SS  
Note : 1.All Voltages referenced to V  
MAX  
-25 -28 -30 -35 -40  
210 190 170 150 135 mA  
PARAMETER  
CONDITIONS  
SYMBOL  
UNITS NOTES  
CC1  
Operating Current  
I
1,2  
RC  
RAS , CAS cycling , t =min  
IH  
TTL interface , RAS , CAS = V  
,
4
4
4
4
4
mA  
OUT  
D
=High-Z  
CC2  
Standby Current  
I
mA  
CC  
CMOS interface, RAS , CAS ≥ V -0.2V  
2
2
2
2
2
RC  
t
= min  
= min  
210 190 170 150 135 mA  
210 190 170 150 135 mA  
2
1,3  
1
RAS only refresh Current  
EDO Page Mode Current  
Standby Current  
CC3  
CC4  
I
I
PC  
t
5
5
5
5
5
mA  
IH  
IL  
RAS =V , CAS = V  
CC5  
CC6  
I
I
CAS BeforeRAS Refresh  
Current  
RC  
t
= min  
210 190 170 150 135 mA  
Battery Backup Current  
(S-ver. only)  
OUT  
RAS , CAS ≤ 0.2V, D  
= High-Z,  
µ A  
CC7  
CC8  
I
I
400 400 400 400 400  
CMOS interface  
IL  
RAS = CAS = V ,  
Self Refresh Current  
(S-ver. only)  
µ A  
400 400 400 400 400  
WE  
CC  
= OE = A0~A8 = V -0.2 or 0.2V  
DQ0~DQ15 = V -0.2, 0.2V or open  
CC  
:
CC  
Note 1.I max is specified at the output open condition.  
IL .  
IH  
2. Address can be changed twice or less while RAS =V  
3. Address can be changed once or less while CAS =V  
.
Elite Memory Technology Inc  
Publication Date: Agu. 2001  
Revision : 1.3 3/16  
1234567...16

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