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M116S163AST10R

更新时间： 2024-09-16 19:52:31

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
48页	755K
描述
Synchronous DRAM, 1MX16, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP-50

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M116S163AST10R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSOP2,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G50	长度：	20.95 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	50
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

M116S163AST10R 数据手册

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by MC16S044T3B/D

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

2 x 2M x 4

MC16S044T3B

Product Preview

2 x 1M x 8

x4, x8, x16

MC16S084T3B

The family of 16M Synchronous Dynamic RAMs is fabricated using 0.45µ

CMOS high–speed silicon gate process technology. It includes devices

organized as 2 banks x 2,097,152 words x 4 bits, 2 banks x 1,048,576 words

x 8 bits, and 2 banks x 524,288 words x 16 bits. Advanced circuit design and

fine line processing provide high performance, improved reliability, and low

cost.

Fully synchronous operations are referenced to the rising edge of the clock

input and can achieve data transfer rates up to 100 MHz. These devices are

ideal for main memory in applications such as workstations, microcomputers,

and refresh memory in CRTs.

These devices are packaged in a standard 400 mil thin small outline

package (TSOP).

T PACKAGE

400 MIL TSOP

CASE 924B–01

•

Single 3.3 V ± 0.3 V Power Supply

Clock Frequency 100 MHz/83 MHz

Fully Synchronous Operation Referenced to Clock Rising Edge

Dual Bank Operation Controlled by Bank Address (BA)

CAS Latency Programmable to 1/2/3

2 x 512K x 16

M116S163AST

Burst Length Programmable to 1/2/4/8/Page

Burst Type Programmable to Sequential/Interleaved

Auto Precharge: All Bank Precharge Controlled by A10 and BA

Auto–Refresh and Self–Refresh

4096 Refresh Cycles: 64 ms

LVTTL Interface

T PACKAGE

400 MIL TSOP

CASE 985C–01

Package:

MC16S044T3B: 400 mil, 44–Pin TSOP (0.8 mm Pitch)

MC16S084T3B: 400 mil, 44–Pin TSOP (0.8 mm Pitch)

M116S163AST: 400 mil, 50–Pin TSOP (0.8 mm Pitch)

This document contains information on a product under development. Motorola reserves the right to change or discontinue this product without notice.

REV 1

4/4/97

Motorola, Inc. 1997

MOTOROLA DRAM

MC16S044T3B•MC16S084T3B•M116S163AST

12 3 4 5 6 7...48

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与M116S163AST10R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M116S163AST12	MOTOROLA	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 9ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP-50
M116S163AST12R	MOTOROLA	获取价格	1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, PDSO50, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP-50
M116TAN	MTRONPTI	获取价格	5x7 mm, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator
M116TAN01.5000MHZ	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator,
M116TAN1.5000MHZ	MTRONPTI	获取价格	Oscillator, 1.5MHz Min, 50MHz Max, 1.5MHz Nom,
M116TAN50.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 1.5MHz Min, 50MHz Max, 50MHz Nom,
M116TANFREQ	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 1.5MHz Min, 50MHz Max, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, LEADLES
M116TANFREQ1	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator,
M116TANXX.XXXXMHZ	MTRONPTI	获取价格	Quartz Crystal,
M116TCN	MTRONPTI	获取价格	5x7 mm, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator

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