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M0336RA120

更新时间： 2024-11-18 19:54:31

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力特 - LITTELFUSE		快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
11页	882K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 1200V V(RRM), Silicon,

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M0336RA120 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	应用：	FAST RECOVERY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流：	4950 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最大输出电流：	150 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
最大反向恢复时间：	3 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

M0336RA120 数据手册

Date:- 21 Oct 2014

Data Sheet Issue:- 2

Soft Recovery Diode

Type M0336S/RA120 to M0336S/RA140

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

1600-1400

1300-1500

MAXIMUM

LIMITS

OTHER RATINGS

UNITS

I_F(AV)M

I_F(RMS)

I_F(d.c.)

I_FSM

Maximum average forward current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average forward current. T_sink=100°C, (note 2)

Nominal RMS forward current, T_sink=25°C, (note 2)

D.C. forward current, T_sink=25°C, (note 3)

336

150

682

548

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_RM=60%V_RRM, (note 3)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_RM10V, (note 3)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_RM=60%V_RRM, (note 3)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_RM10V, (note 3)

Operating temperature range

4500

I_FSM2

I²t

4950

101×10³

122×10³

-40 to +125

-40 to +150

A²s

°C

I²t

T_{j op}

T_stg

Storage temperature range

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Half-sinewave, 125°C T_jinitial.

Data Sheet. Types M0336S/RA120 to M0336S/RA140 Issue 2

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October 2014

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