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LY62L205016ALL-55SL

更新时间: 2024-11-16 12:06:15
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台湾来扬 - LYONTEK 静态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 206K
描述
32M Bits ( 2Mx16 / 4Mx8 Switchable) LOW POWER CMOS SRAM

LY62L205016ALL-55SL 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP1,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84最长访问时间:55 ns
备用内存宽度:8JESD-30 代码:R-PDSO-G48
长度:18.4 mm内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:48
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:12 mm
Base Number Matches:1

LY62L205016ALL-55SL 数据手册

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®
LY62L205016A  
32M Bits ( 2Mx16 / 4Mx8 Switchable) LOW POWER CMOS SRAM  
Rev. 1.2  
REVISION HISTORY  
Revision  
Rev. 1.0  
Rev. 1.1  
Description  
Initial Issue  
Issue Date  
Sep.06.2012  
Nov.06.2012  
Add 25 & 40 spec for ISB1 & IDR on page 4 & page 9  
Delete LL grade for ordering information on page 11  
Correct typo error on the column “UB#”, “LB#” of truth table  
for row “Byte Read” “Byte Write” and “Output Disable” at  
page 4: “X” revised to be “L”  
Rev. 1.2  
July.08.2013  
Lyontek Inc. reserves the rights to change the specifications and products without notice.  
5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.  
TEL: 886-3-6668838  
FAX: 886-3-6668836  
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