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LY6225616ML-45LLIT

更新时间: 2024-02-03 09:23:09
品牌 Logo 应用领域
台湾来扬 - LYONTEK 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 274K
描述
256K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM

LY6225616ML-45LLIT 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:TSOP2,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最长访问时间:45 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:18.415 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:44
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

LY6225616ML-45LLIT 数据手册

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®
LY6225616  
256K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM  
Rev. 1.5  
PIN DESCRIPTION  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
SYMBOL  
DESCRIPTION  
A0 - A17  
Address Inputs  
Vcc  
Vss  
DQ0 – DQ15 Data Inputs/Outputs  
CE#  
WE#  
OE#  
LB#  
UB#  
VCC  
Chip Enable Input  
Write Enable Input  
Output Enable Input  
Lower Byte Control  
Upper Byte Control  
Power Supply  
256Kx16  
MEMORY ARRAY  
A0-A17  
DECODER  
VSS  
Ground  
DQ0-DQ7  
Lower Byte  
I/O DATA  
CIRCUIT  
COLUMN I/O  
DQ8-DQ15  
Upper Byte  
CE#  
WE#  
OE#  
LB#  
CONTROL  
CIRCUIT  
UB#  
Lyontek Inc. reserves the rights to change the specifications and products without notice.  
5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.  
TEL: 886-3-6668838  
FAX: 886-3-6668836  
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