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LY61L2568AML-10I

更新时间: 2024-11-24 00:54:55
品牌 Logo 应用领域
台湾来扬 - LYONTEK 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 266K
描述
256K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM

LY61L2568AML-10I 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:TSOP2,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76最长访问时间:10 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G44长度:18.415 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:44字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

LY61L2568AML-10I 数据手册

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®
LY61L2568A  
256K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM  
Rev. 1.0  
REVISION HISTORY  
Revision  
Rev. 1.0  
Description  
Initial Issue  
Issue Date  
Dec. 20. 2012  
Lyontek Inc. reserves the rights to change the specifications and products without notice.  
5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.  
TEL: 886-3-6668838  
FAX: 886-3-6668836  
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