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LY6112816ML-20LLE

更新时间: 2024-12-01 12:06:11
品牌 Logo 应用领域
台湾来扬 - LYONTEK 静态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 167K
描述
5V 128K X 16 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM

LY6112816ML-20LLE 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:TSOP2,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.8
最长访问时间:20 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:18.415 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:44
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:80 °C
最低工作温度:-20 °C组织:128KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

LY6112816ML-20LLE 数据手册

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®
LY6112816  
5V 128K X 16 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM  
Rev. 1.2  
REVISION HISTORY  
Revision  
Rev. 1.0  
Rev. 1.1  
Description  
Initial Issue  
Revised Test Condition of ICC  
Issue Date  
Aug.12.2007  
Apr. 17.2009  
FEATURES ORDERING INFORMATION  
Revised  
&
Lead free and green package available to Green package  
available  
ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS  
Deleted TSOLDER in  
ORDERING INFORMATION  
Added packing type in  
Rev.1.2  
Aug.25.2010  
ORDERING INFORMATION  
Revised  
in page 11  
Lyontek Inc. reserves the rights to change the specifications and products without notice.  
5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.  
TEL: 886-3-6668838  
FAX: 886-3-6668836  
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