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LT1JV45A PDF预览

LT1JV45A

更新时间： 2024-12-01 19:47:55
品牌 Logo 应用领域
夏普 - SHARP 光电
页数 文件大小 规格书
3页 57K
描述
Single Color LED, Amber, Colorless Transparent, 2.7mm,

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LT1JV45A 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84颜色：AMBER
配置：SINGLE最大正向电流：0.02 A
透镜类型：COLORLESS TRANSPARENT标称发光强度：20.0 mcd
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：2最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-30 °C光电设备类型：SINGLE COLOR LED
总高度：1.2 mm包装方法：BULK
峰值波长：591 nm形状：RECTANGULAR
尺寸：2.7 mm表面贴装：YES
端子节距：2.025 mmBase Number Matches：1

LT1JV45A 数据手册

 浏览型号LT1JV45A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LT1JV45A的Datasheet PDF文件第3页 
LT1J❏45A series  
High-luminosity(AlGaInP) Leadless Chip LED  
2713 Size, 1.2mm Thickness, Side  
Emitting Leadless Chip LED  
LT1J❏45A series  
(Under development)  
I Outline Dimensions  
I Directive Characteristics  
(Unit : mm)  
(Ta=25˚C)  
-30˚  
-20˚  
-10˚  
0˚ 100 +10˚  
+20˚  
+30˚  
2.7  
1.2  
-40˚  
+40˚  
(0.95)  
0.2  
80  
60  
-50˚  
+50˚  
-60˚  
-70˚  
-80˚  
-90˚  
+60˚  
+70˚  
+80˚  
+90˚  
ø0.5  
White resin  
40  
20  
1
2
Cathode mark  
0
X
-30˚  
-20˚  
-10˚  
0˚ 100 +10˚  
+20˚  
+30˚  
(0.675)  
(0.675)  
R0.3  
-40˚  
-50˚  
+40˚  
+50˚  
80  
60  
1.Plating area  
Resist  
2.Pin connections  
1Anode  
(0.425)  
Green resist  
2Cathode  
-60˚  
-70˚  
-80˚  
-90˚  
+60˚  
+70˚  
+80˚  
+90˚  
40  
20  
1
2
3.Unspecified tolerance:±0.1  
0
Y
I Absolute Maximum Ratings  
(Ta=25˚C)  
Derating factor  
(mA/˚C)  
Power dissipation Forward current Peak forward current  
*1  
Reverse voltage Operating temperature Storage temperature Soldering temperature  
*2  
P
IF  
IFM  
VR  
Topr  
Tstg  
Tsol  
Model No. Emitting color  
Material  
(mW)  
(mA)  
(mA)  
(V)  
(˚C)  
(˚C)  
(˚C)  
DC Pulse  
0.33 0.66  
0.33 0.66  
0.33 0.66  
0.33 0.66  
Red  
AlGaInP on GaAs  
AlGaInP on GaAs  
52  
52  
52  
52  
20  
20  
20  
20  
40  
40  
40  
40  
5
5
5
5
-30 to +80  
-30 to +80  
-30 to +80  
-30 to +80  
-40 to +85  
-40 to +85  
-40 to +85  
-40 to +85  
260  
260  
260  
260  
LT1JR45A  
LT1JJ45A  
LT1JS45A  
LT1JV45A  
Orange  
Sunset orange AlGaInP on GaAs  
Amber  
AlGaInP on GaAs  
*1 Duty ratio=1/10, Pulse width=0.1ms  
*2 For 3s or less at the temperature of hand soldering. Temperature of reflow soldering is shown on page 2.  
I Electro-optical Characteristics  
(IF=5mA,Ta=25˚C)  
Peak emission  
wavelength  
λp(nm)  
TYP  
647  
627  
609  
591  
Dominant  
wavelength  
λd(nm)  
TYP  
635  
618  
605  
588  
Spectrum radiation  
bandwidth  
Luminous  
intensity  
IV(mcd)  
TYP  
9.6  
16  
Page for  
Forward voltage  
VF(V)  
Reverse current  
Terminal capacitance  
Model No.  
characteristics  
diagrams  
Lens type  
VR  
Ct(pF)  
TYP  
IR(µA)  
∆λ(nm)  
(MHZ)  
(V)  
MAX  
TYP  
2.0  
MAX  
2.6  
TYP  
20  
LT1JR45A  
100  
100  
100  
100  
4
4
4
4
30  
30  
30  
30  
1
1
1
1
52  
52  
52  
52  
Colorless LT1JJ45A  
2.0  
2.6  
15  
transparency  
LT1JS45A  
LT1JV45A  
2.0  
2.6  
24  
15  
2.0  
2.6  
20  
15  
Notice  
In the absence of confirmation by device specification sheets,SHARP takes no responsibility for any defects that may occur in equipment using any SHARP devices shown in  
catalogs,data books,etc.Contact SHARP in order to obtain the latest device specification sheets before using any SHARP device.  
Internet address for Electronic Components Group http://sharp-world.com/ecg/  
20  
Internet  
123

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