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LP2985-33DBVTG4 PDF预览

LP2985-33DBVTG4

更新时间： 2024-01-13 13:41:39
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 线性稳压器IC调节器电源电路光电二极管输出元件PC
页数 文件大小 规格书
27页 649K
描述
150-mA LOW-NOISE LOW-DROPOUT REGULATOR WITH SHUTDOWN

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LP2985-33DBVTG4 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SOT-23, 5 PIN针数：5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：0.62Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：371529
Samacsys Pin Count：5Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：SOT23 (5-Pin)Samacsys Footprint Name：DBV0005A
Samacsys Released Date：2020-02-27 06:50:29Is Samacsys：N
可调性：FIXED最大回动电压 1：0.575 V
标称回动电压 1：0.28 V最大绝对输入电压：16 V
最大输入电压：16 V最小输入电压：4.007 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G5JESD-609代码：e4
长度：2.9 mm最大电网调整率：0.01235%
湿度敏感等级：1功能数量：1
输出次数：1端子数量：5
工作温度TJ-Max：125 °C工作温度TJ-Min：-40 °C
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流 1：0.15 A最大输出电压 1：3.432 V
最小输出电压 1：3.168 V标称输出电压 1：3.3 V
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装等效代码：TSOP5/6,.11,37封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
调节器类型：FIXED POSITIVE SINGLE OUTPUT LDO REGULATOR座面最大高度：1.45 mm
子类别：Other Regulators表面贴装：YES
技术：BIPOLAR端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：4%宽度：1.6 mm
Base Number Matches：1

LP2985-33DBVTG4 数据手册

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LP2985  
SLVS522M–JULY 2004–REVISED MARCH 2009.......................................................................................................................................................... www.ti.com  
Absolute Maximum Ratings(1)  
over virtual junction temperature range (unless otherwise noted)  
MIN  
–0.3  
MAX  
16  
UNIT  
VIN  
Continuous input voltage range(2)  
ON/OFF input voltage range  
Output voltage range(3)  
V
V
V
VON/OFF  
–0.3  
16  
–0.3  
9
Internally limited  
(short-circuit protected)  
IO  
Output current(4)  
θJA  
TJ  
Package thermal impedance(4)(5)  
Operating virtual junction temperature  
Storage temperature range  
206  
°C/W  
°C  
150  
150  
Tstg  
–65  
°C  
Human-Body Model (HBM)  
Machine Model (MM)  
2000  
200  
ESD  
Electrostatic discharge protection  
V
(1) Stresses beyond those listed under "absolute maximum ratings" may cause permanent damage to the device. These are stress ratings  
only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under "recommended operating  
conditions" is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.  
(2) The PNP pass transistor has a parasitic diode connected between the input and output. This diode normally is reverse biased  
(VIN > VOUT), but will be forward biased if the output voltage exceeds the input voltage by a diode drop (see Application Information for  
more details).  
(3) If load is returned to a negative power supply in a dual-supply system, the output must be diode clamped to GND.  
(4) Maximum power dissipation is a function of TJ(max), θJA, and TA. The maximum allowable power dissipation at any allowable ambient  
temperature is PD = (TJ(max) – TA)/θJA. Operating at the absolute maximum TJ of 150°C can affect reliability.  
(5) The package thermal impedance is calculated in accordance with JESD 51-7.  
Recommended Operating Conditions  
MIN  
2.2(1)  
0
MAX  
16  
UNIT  
V
VIN  
Supply input voltage  
ON/OFF input voltage  
Output current  
VON/OFF  
IOUT  
TJ  
VIN  
V
150  
125  
mA  
°C  
Virtual junction temperature  
–40  
(1) Recommended minimum VIN is the greater of 2.5 V or VOUT(max) + rated dropout voltage (max) for operating IL.  
4
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Copyright © 2004–2009, Texas Instruments Incorporated  
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