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LP2301ALT1G

更新时间： 2024-02-14 05:20:10

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乐山 - LRC		/
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20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

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LP2301ALT1G 数据手册

LP2301ALT1G, S-LP2301ALT1G

20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

7.ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVES

0.1

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0.12

0.11

0.1

VGS=2.5V

VGS=4.5V

VGS=2.5V,ID=2.0A

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

VGS=4.5V,ID=2.8A

Ta=25℃

-50 -25

Tj(℃)

75 100 125 150

0.5

1.5

2.5

ID(A)

RDS(on) vs. ID

RDS(on) vs.Temperature

0.8

0.6

0.4

0.2

800

700

600

500

400

300

200

100

Ciss

ID=2.80A

25℃

Coss

Crss

150℃

-55℃

VGS(V)

VDS,Drain-to-Source(V)

RDS(on) vs. VGS

Capacitor vs. VDS

Leshan Radio Company, LTD.

Rev.C Sep. 2018

3/5

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