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LMX2485SQX/NOPB

更新时间： 2024-02-13 11:47:34
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 通信射频个人通信
页数 文件大小 规格书
48页 1174K
描述
用于射频个人通信的 500MHz 至 3GHz Δ-Σ 低功耗双路 PLL | RTW | 24 | -40 to 85

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LMX2485SQX/NOPB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：HVQCCN, LCC24,.16SQ,20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：5A991.G
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：1.58
模拟集成电路 - 其他类型：PLL FREQUENCY SYNTHESIZERJESD-30 代码：S-PQCC-N24
JESD-609代码：e3长度：4 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：24最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出频率：3000 GHz
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVQCCN
封装等效代码：LCC24,.16SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.75 mm子类别：PLL or Frequency Synthesis Circuits
最大供电电流 (Isup)：5 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：4 mmBase Number Matches：1

LMX2485SQX/NOPB 数据手册

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LMX2485, LMX2485E  
SNAS236G –OCTOBER 2005–REVISED JANUARY 2016  
www.ti.com  
Electrical Characteristics (continued)  
(VCC = 3.0V; -40°C ≤ TA ≤ +85°C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
Magnitude of IF CP sink vs CP  
source mismatch  
VCPoutIF = VCC/2  
TA = 25°C  
| ICPoutIF%MIS |  
| ICPoutIF%V |  
1%  
8%  
Magnitude of IF CP current vs  
CP voltage  
0.5 ≤ VCPoutIF ≤ VCC -0.5  
TA = 25°C  
4%  
4%  
10%  
Magnitude of IF CP current vs  
temperature  
| ICPoutIF%TEMP  
VCPoutIF = VCC/2  
OSCILLATOR PARAMETERS  
OSC2X = 0  
OSC2X = 1  
5
5
110  
20  
MHz  
MHz  
VP-P  
µA  
fOSCin  
Oscillator operating frequency  
vOSCin  
IOSCin  
Oscillator input sensitivity  
Oscillator input current  
0.5  
VCC  
100  
–100  
SPURS  
(4)  
Spurs in band  
See  
–55  
dBc  
PHASE NOISE  
RF_CPG = 0  
RF_CPG = 1  
RF_CPG = 3  
RF_CPG = 7  
RF_CPG = 15  
–202  
–202  
–206  
–208  
–210  
RF synthesizer normalized  
phase noise contribution(5)  
LF1HzRF  
dBc/Hz  
dBc/Hz  
IF synthesizer normalized phase  
noise contribution  
LF1HzIF  
–209  
DIGITAL INTERFACE (DATA, CLK, LE, ENOSC, CE, Ftest/LD, FLoutRF)  
VIH  
VIL  
IIH  
High-level input voltage  
Low-level input voltage  
High-level input current  
Low-level input current  
High-level output voltage  
Low-level output voltage  
1.6  
VCC  
0.4  
1
V
V
VIH = VCC  
–1  
–1  
µA  
µA  
V
IIL  
VIL = 0 V  
1
VOH  
VOL  
IOH = –500 µA  
IOL = 500 µA  
VCC - 0.4  
0.4  
V
(4) To measure the in-band spur, the fractional word is chosen such that when reduced to lowest terms, the fractional numerator is one.  
The spur offset frequency is chosen to be the comparison frequency divided by the reduced fractional denominator. The loop bandwidth  
must be sufficiently wide to negate the impact of the loop filter. Measurement conditions are: Spur Offset Frequency = 10 kHz, Loop  
Bandwidth = 100 kHz, Fraction = 1/2000, Comparison Frequency = 20 MHz, RF_CPG = 7, DITH = 0, and a 4th Order Modulator (FM =  
0). These are relatively consistent over tuning range.  
(5) Normalized Phase Noise Contribution is defined as: LN(f) = L(f) – 20log(N) – 10log(fCOMP) where L(f) is defined as the single side band  
phase noise measured at an offset frequency, f, in a 1 Hz Bandwidth. The offset frequency, f, must be chosen sufficiently smaller than  
the PLL loop bandwidth, yet large enough to avoid substantial phase noise contribution from the reference source. Measurement  
conditions are: Offset Frequency = 11 kHz, Loop Bandwidth = 100 kHz for RF_CPG = 7, Fraction = 1/2000, Comparison Frequency =  
20 MHz, FM = 0, DITH = 0.  
6
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Copyright © 2005–2016, Texas Instruments Incorporated  
Product Folder Links: LMX2485 LMX2485E  
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