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LMX2485SQ/NOPB PDF预览

LMX2485SQ/NOPB

更新时间： 2024-01-11 01:30:14
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 通信射频个人通信
页数 文件大小 规格书
48页 1174K
描述
用于射频个人通信的 500MHz 至 3GHz Δ-Σ 低功耗双路 PLL | RTW | 24 | -40 to 85

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LMX2485SQ/NOPB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：HVQCCN, LCC24,.16SQ,20Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.39
模拟集成电路 - 其他类型：PLL FREQUENCY SYNTHESIZERJESD-30 代码：S-PQCC-N24
JESD-609代码：e3长度：4 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：24最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HVQCCN封装等效代码：LCC24,.16SQ,20
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.8 mm
子类别：PLL or Frequency Synthesis Circuits最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：4 mmBase Number Matches：1

LMX2485SQ/NOPB 数据手册

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LMX2485, LMX2485E  
www.ti.com  
SNAS236G –OCTOBER 2005–REVISED JANUARY 2016  
6.5 Electrical Characteristics  
(VCC = 3.0V; -40°C ≤ TA ≤ +85°C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
ICC PARAMETERS  
IF PLL OFF  
RF PLL ON  
Charge Pump TRI-STATE  
Power supply current,  
RF synthesizer  
ICCRF  
3.3  
1.7  
mA  
mA  
IF PLL ON  
RF PLL OFF  
Charge Pump TRI-STATE  
Power supply current,  
IF synthesizer  
ICCIF  
IF PLL ON  
RF PLL ON  
Charge Pump TRI-STATE  
Power supply current, entire  
synthesizer  
ICCTOTAL  
ICCPD  
5
1
mA  
µA  
CE = ENOSC = 0 V  
CLK, DATA, LE = 0 V  
Powerdown current  
10  
RF SYNTHESIZER PARAMETERS  
RF_P = 8  
500  
500  
50  
2000  
3000  
2000  
3000  
0
LMX2485  
RF_P = 16  
Operating  
fFinRF  
MHz  
dBm  
frequency(1)  
RF_P = 8  
LMX2485E  
RF_P = 16  
50  
500 - 3000 MHz  
50 - 500 MHz (LMX2485E only)  
-15  
-8  
pFinRF  
fCOMP  
Input sensitivity  
8
Phase detector frequency(2)  
50  
MHz  
µA  
RF_CPG = 0  
VCPoutRF = VCC/2  
95  
190  
RF charge pump source  
current(3)  
RF_CPG = 1  
VCPoutRF = VCC/2  
ICPoutRFSRCE  
µA  
µA  
µA  
µA  
µA  
nA  
RF_CPG = 15  
VCPoutRF = VCC/2  
1520  
–95  
RF_CPG = 0  
VCPoutRF = VCC/2  
RF_CPG = 1  
VCPoutRF = VCC/2  
ICPoutRFSINK  
RF charge pump sink current(3)  
–190  
–1520  
2
RF_CPG = 15  
VCPoutRF = VCC/2  
RF charge pump TRI-STATE  
current magnitude  
ICPoutRFTRI  
0.5 ≤ VCPoutRF ≤ VCC -0.5  
10  
RF_CPG > 2  
3%  
3%  
10%  
13%  
Magnitude of RF CP sink vs. CP VCPoutRF = VCC/2  
| ICPoutRF%MIS |  
source mismatch  
TA = 25°C  
RF_CPG ≤ 2  
Magnitude of RF CP current vs. 0.5 ≤ VCPoutRF ≤ VCC -0.5  
| ICPoutRF%V |  
| ICPoutRF%T |  
2%  
4%  
8%  
CP voltage  
TA = 25°C  
Magnitude of RF CP current vs.  
temperature  
VCPoutRF = VCC/2  
IF SYNTHESIZER PARAMETERS  
fFinIF  
Operating frequency  
75  
800  
5
MHz  
dBm  
MHz  
mA  
pFinIF  
IF input sensitivity  
–10  
fCOMP  
Phase detector frequency  
IF charge pump source current  
IF charge pump sink current  
10  
ICPoutIFSRCE  
ICPoutIFSINK  
VCPoutIF = VCC/2  
VCPoutIF = VCC/2  
3.5  
–3.5  
mA  
IF charge pump TRI-STATE  
current magnitude  
ICPoutIFTRI  
0.5 ≤ VCPoutIF ≤ VCC RF -0.5  
2
10  
nA  
(1) A slew rate of at least 100 V/uS is recommended for frequencies less than 500 MHz for optimal performance.  
(2) For Phase Detector Frequencies greater than 20 MHz, Cycle Slip Reduction (CSR) may be required. Legal divide ratios are also  
required.  
(3) Refer to table in RF_CPG—RF PLL Charge Pump Gain for complete listing of charge pump currents.  
Copyright © 2005–2016, Texas Instruments Incorporated  
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5
Product Folder Links: LMX2485 LMX2485E  
 
12345678...48

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