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LMV115MG

更新时间： 2024-02-07 15:38:21

品牌	Logo	应用领域
美国国家半导体 - NSC		振荡器 GSM
页数	文件大小	规格书
13页	473K
描述
GSM Baseband 30MHz 2.8V Oscillator Buffer

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LMV115MG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP, TSSOP6,.08	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	放大器类型：	BUFFER
标称带宽 (3dB)：	9 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	长度：	2 mm
湿度敏感等级：	1	负供电电压上限：
标称负供电电压 (Vsup)：		功能数量：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	最小输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP6,.08	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	标称压摆率：	18 V/us
子类别：	Buffer Amplifiers	最大压摆率：	0.52 mA
供电电压上限：	3.6 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.8 V
表面贴装：	YES	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	1.25 mm
Base Number Matches：	1

Typical Performance Characteristics T_J= 25˚C, V⁺= 2.8V, V⁻= 0V, V_CM= V⁺/2, and R_L, C_Lis

connected to V⁺/2; Unless otherwise specified. (Continued)

Harmonic Distortion vs. V_OUT100kHz

Transient Response Negative

20075118

20075107

Harmonic Distortion vs. V_OUT1MHz

Harmonic Distortion vs. V_OUT500kHz

20075108

20075109

THD vs. V_OUTfor Various Frequencies

Voltage Noise

20075102

20075117

www.national.com

1...3 4 567 8 9...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
LMV115MGX	NSC	GSM Baseband 30MHz 2.8V Oscillator Buffer	获取价格
LMV115MGX/NOPB	TI	BUFFER AMPLIFIER, PDSO6, 2.10 X 2 MM, SC-70, 6 PIN	获取价格
LMV116	NSC	Low Voltage, 45MHz, Rail-to-Rail Output Operational Amplifiers with Shutdown Option	获取价格
LMV116	TI	单路、12V、45MHz 运算放大器	获取价格
LMV116MF	NSC	Low Voltage, 45MHz, Rail-to-Rail Output Operational Amplifiers with Shutdown Option	获取价格
LMV116MF/NOPB	NSC	IC OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, PDSO5, SOT-23, 5-PIN, Operational Amplifier	获取价格