LMV112SD/NOPB

更新时间： 2024-02-13 04:42:48

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LMV112SD/NOPB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SON
包装说明：	HVSON,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.14	放大器类型：	BUFFER
标称带宽 (3dB)：	40 MHz	JESD-30 代码：	S-PDSO-N8
JESD-609代码：	e3	长度：	3 mm
湿度敏感等级：	1	功能数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	最小输出电流：	16 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVSON
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法：	TR	峰值回流温度（摄氏度）：	260
座面最大高度：	0.8 mm	标称压摆率：	110 V/us
子类别：	Buffer Amplifier	最大压摆率：	2.1 mA
供电电压上限：	5.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.7 V
表面贴装：	YES	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3 mm

LMV112

www.ti.com

SNAS297B –MAY 2005–REVISED MAY 2013

TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS (continued)

T_J= 25°C, V_DD= 2.7V, V_SS= 0V, Enable_1,2= V_DD, C_L= 20 pF, R_L= 30 kΩ and C_COUPLING= 1 nF, unless otherwise specified.

Transient Response Negative

Small Signal Pulse Response

Figure 16.

Figure 17.

Small Signal Pulse Response

Large Signal Pulse Response

Figure 18.

Figure 19.

Large Signal Pulse Response

I_SUPPLYvs. V_SUPPLY

Figure 20.

Figure 21.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
LMV112SDX	NSC	40 MHz Dual Clock Buffer	获取价格
LMV112SDX/NOPB	TI	40MHz 双路时钟缓冲器 \| NGQ \| 8 \| -40 to 85	获取价格
LMV115	NSC	GSM Baseband 30MHz 2.8V Oscillator Buffer	获取价格
LMV115MG	NSC	GSM Baseband 30MHz 2.8V Oscillator Buffer	获取价格
LMV115MGX	NSC	GSM Baseband 30MHz 2.8V Oscillator Buffer	获取价格
LMV115MGX/NOPB	TI	BUFFER AMPLIFIER, PDSO6, 2.10 X 2 MM, SC-70, 6 PIN	获取价格