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LM358AN

更新时间： 2024-02-19 01:55:59
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安森美 - ONSEMI 放大器PC光电二极管运算放大器放大器电路
页数 文件大小 规格书
16页 131K
描述
双路运算放大器

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LM358AN 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP8,.3针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：7.08
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：167677Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Dual-In-Line Packages
Samacsys Footprint Name：8-DIPSamacsys Released Date：2015-11-27 05:56:07
Is Samacsys：N放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB)：0.2 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.1 µA标称共模抑制比：85 dB
频率补偿：YES最大输入失调电压：5000 µV
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e3
长度：9.2 mm低-失调：NO
负供电电压上限：标称负供电电压 (Vsup)：
功能数量：2端子数量：8
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：+-1.5/+-15/3/30 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm子类别：Operational Amplifier
最大压摆率：2 mA供电电压上限：32 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：BIPOLAR温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最小电压增益：15000
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

LM358AN 数据手册

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LM358, LM258, LM2904, LM2904A, LM2904V, NCV2904  
50 k  
R1  
V
CC  
5.0 k  
V
CC  
R2  
-
1/2  
V
CC  
10 k  
-
1/2  
V
ref  
V
O
LM358  
V
O
LM358  
MC1403  
+
+
2.5 V  
1
f =  
o
1
2
2 π RC  
V
ref  
=
V
CC  
For: f = 1.0 kHz  
o
R1  
R2  
R = 16 kΩ  
C = 0.01 µF  
R
C
V
O
= 2.5 V (1 +  
)
C
R
Figure 11. Wien Bridge Oscillator  
Figure 10. Voltage Reference  
1
C
+
1/2  
R
e
1
R
Hysteresis  
LM358  
R2  
V
OH  
-
R1  
V
-
1/2  
O
+
1/2  
LM358  
-
V
a R1  
ref  
R1  
e
o
LM358  
+
V
O
V
in  
V
OL  
b R1  
V
V
inH  
1
C
inL  
-
1/2  
R
R1  
R1 + R2  
V
(V - V )+ V  
ref  
ref  
V
=
OL  
ref  
inL  
LM358  
+
e
2
R
R1  
R1 + R2  
(V - V ) + V  
ref  
V
inH  
=
OH  
ref  
e = C (1 + a + b) (e - e )  
1
R1  
R1 + R2  
o
2
H =  
(V - V )  
OH OL  
Figure 12. High Impedance Differential Amplifier  
Figure 13. Comparator with Hysteresis  
1
f =  
o
R
2 π RC  
R
100 k  
R1 = QR  
1
2
C1  
V
ref  
=
V
CC  
V
in  
R2  
C
R1  
C
R2 =  
-
1/2  
T
R
BP  
-
100 k  
LM358  
+
R3 = T  
1/2  
LM358  
N R2  
-
1/2  
C1 = 10 C  
+
LM358  
+
For: f = 1.0 kHz  
o
V
ref  
V
ref  
Q
T
= 10  
= 1  
= 1  
Bandpass  
Output  
R3  
V
ref  
BP  
T
N
R1  
R2  
-
1/2  
C1  
Notch Output  
R
C
= 160 kΩ  
= 0.001 µF  
LM358  
+
R1 = 1.6 MΩ  
R2 = 1.6 MΩ  
R3 = 1.6 MΩ  
V
ref  
Where:  
T
T
= Center Frequency Gain  
BP  
Ă= Passband Notch Gain  
N
Figure 14. Bi–Quad Filter  
http://onsemi.com  
8
1...567891011...16

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