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LM358AN

更新时间： 2024-02-16 10:42:41
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安森美 - ONSEMI 放大器PC光电二极管运算放大器放大器电路
页数 文件大小 规格书
16页 131K
描述
双路运算放大器

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LM358AN 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP8,.3针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：7.08
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/167677.1.1.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=167677
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1676773D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=167677
Samacsys PartID：167677Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/LM358AN.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/LM358AN.jpgSamacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Dual-In-Line Packages
Samacsys Footprint Name：8-DIPSamacsys Released Date：2015-11-27 05:56:07
Is Samacsys：N放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB)：0.2 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.1 µA标称共模抑制比：85 dB
频率补偿：YES最大输入失调电压：5000 µV
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e3
长度：9.2 mm低-失调：NO
负供电电压上限：标称负供电电压 (Vsup)：
功能数量：2端子数量：8
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：+-1.5/+-15/3/30 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm子类别：Operational Amplifier
最大压摆率：2 mA供电电压上限：32 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：BIPOLAR温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最小电压增益：15000
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

LM358AN 数据手册

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LM358, LM258, LM2904, LM2904A, LM2904V, NCV2904  
CIRCUIT DESCRIPTION  
The LM358 series is made using two internally  
V
CC  
= 15 Vdc  
compensated, two–stage operational amplifiers. The first  
stage of each consists of differential input devices Q20 and  
Q18 with input buffer transistors Q21 and Q17 and the  
differential to single ended converter Q3 and Q4. The first  
stage performs not only the first stage gain function but also  
performs the level shifting and transconductance reduction  
functions. By reducing the transconductance, a smaller  
compensation capacitor (only 5.0 pF) can be employed, thus  
saving chip area. The transconductance reduction is  
accomplished by splitting the collectors of Q20 and Q18.  
Another feature of this input stage is that the input common  
mode range can include the negative supply or ground, in  
single supply operation, without saturating either the input  
devices or the differential to single–ended converter. The  
second stage consists of a standard current source load  
amplifier stage.  
R = 2.0 kΩ  
T = 25°C  
A
L
5.0 µs/DIV  
Figure 3. Large Signal Voltage  
Follower Response  
Each amplifier is biased from an internal–voltage  
regulator which has a low temperature coefficient thus  
giving each amplifier good temperature characteristics as  
well as excellent power supply rejection.  
20  
18  
16  
14  
12  
120  
V
V
= 15 V  
= Gnd  
CC  
EE  
100  
80  
T = 25°C  
A
60  
10  
Negative  
40  
8.0  
Positive  
6.0  
4.0  
2.0  
0
20  
0
-20  
1.0  
10  
100  
1.0 k  
10 k  
100 k  
1.0 M  
0
2.0 4.0  
6.0 8.0  
10  
12  
14 16  
18 20  
V /V POWER SUPPLY VOLTAGES (V)  
CC EE,  
f, FREQUENCY (Hz)  
Figure 4. Input Voltage Range  
Figure 5. Large–Signal Open Loop Voltage Gain  
http://onsemi.com  
6
1...3456789...16

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